韩国科技业内人士认为，SK Hynix 已经向英伟达（NVIDIA）发送了"12 层 DRAM 堆叠 HBM3E（第 5 代 HBM）"原型样品。根据ZDNet.co.kr 的一篇文章，最初的样品已于上个月发货。

2023 年年中的报道称，NVIDIA在夏季前后获得了8 层 HBM3E（第 4 代）单元的样品，SK Hynix 也很快收到了批准通知。另一家韩国媒体DealSite 认为，英伟达的内存认证流程暴露了多家制造商的 HBM 产量问题。SK 海力士、三星和美光在 HBM3E 领域展开了激烈的竞争，希望能将各自的产品应用到英伟达的 H200 AI GPU 上。

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DigiTimes Asia称，SK Hynix准备在本月某个时间点"开始量产第五代HBM3E"。业内人士认为，SK Hynix 的良品率足以通过NVIDIA的早期认证，先进的 12 层样品有望在不久的将来获得批准。

ZDNet认为，SK Hynix 的发展势头使其处于有利地位："（他们）在去年下半年提供了 8 层 HBM3E 样品，并通过了最近的测试。虽然官方时间表尚未公布，但预计最早将于本月开始量产。此外，SK Hynix 上个月还向英伟达提供了 12 层 HBM3E 样品。该样品属于极早期版本，主要用于建立新产品的标准和特性。SK Hynix 将其称为 UTV（Universal Test Vehicle）。由于海力士已经完成了 8 层 HBM3E 的性能验证，预计 12 层 HBM3E 的测试不会花费太多时间"

SK Hynix副总裁最近透露，公司 2024 年的 HBM 产能已经预定一空，领导层已经在为 2025 年及以后的创新做准备。