电子发烧友网

电脑版
提示:原网页已由神马搜索转码, 内容由www.elecfans.com提供.

电子发烧友网>存储技术>

存储技术

595人已关注
提供全球最前沿存储技术,云存储技术、快速存储技术、虚拟存储技术、存储解决方案、与英特尔快速存储技术等存储技术新闻、产品信息及技术热点。

三星/SK海力士DRAM大幅扩产,恢复至削减前水平,存储新周期开启

电子发烧友网报道(文/吴子鹏)根据市场调研机构Omdia的研究报告,随着全球需求复苏,韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圆投入,有效结束减产。  Omdia在报告中...

2024-04-12标签:DRAM存储SK海力士三星2091

慧荣科技:闪存主控芯片主动式创新,迎生成式AI高增长

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)2023年底慧荣科技进行组织架构调整,以适应不断增长的全球业务。该公司决定成立两大新的事业群:Client Display Interface Solution(ESDI)事业群。CAS事业群将负责消...

标签:闪存AI慧荣科技生成式AIAI慧荣科技生成式AI闪存2024-03-292974

铠侠:PCIe Gen5 SSD袭卷2024年,闪存技术创新,加速生成式AI落地

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)生成式AI是最近行业最火的话题,作为存储芯片国际大厂的铠侠,对于闪存在生成式AI时代的技术和应用有着前瞻的理解和举措。与此同时,铠侠也一直引领着...

2024-04-02标签:闪存SSDAIPCIe铠侠生成式AI4260

10.7Gbps,LPDDR5X还能继续卷性能

电子发烧友报道(文/周凯扬)随着DRAM标准的持续推进以及AI对内存带宽要求更高,这几年来新发布的DRAM产品都在强调其在AI应用上的优势,尤其是在端侧AI应用上。三星于最近发布了首个10.7G...

2024-04-28标签:存储DDR5DDR5存储996

国内首颗,精准纠错!德明利TWSC2985系列:支持4K LDPC技术的存储芯片

TWSC 2985 系列SD6.0存储芯片 国内首颗支持4K LDPC纠错技术 增强纠错、耐久可靠、性能升级  随着移动计算和AI技术对数据存储需求的增加,德明利凭借在闪存技术及模组自主研发领域的深厚积淀,...

2024-04-26标签:LDPCSD存储LDPCSD存储435

兆易创新今年Q1净利超2023全年,NOR Flash出货量已超212亿颗

电子发烧友网报道(文/刘静)近日,知名存储芯片厂商兆易创新发布《2023年年度报告》以及《2024年第一季度报告》。存储芯片行业在经历一段时间的市场波动后,目前正处于一个关键时期。多...

2024-04-25标签:存储芯片NOR flash兆易创新2104

AI时代的存储墙,哪种存算方案才能打破?

回顾计算行业几十年的历史,芯片算力提升在几年前,还在遵循摩尔定律。可随着如今摩尔定律显著放缓,算力发展已经陷入瓶颈。而且祸不单行,陷入同样困境的还有存储。从新标准推进的角...

标签:存储sramAIHBM存算一体存内计算2024-04-212430

基于FPGA的内存128M flash芯片控制器设计方案

基于FPGA的内存128M flash芯片控制器设计方案

这款flash芯片的的存储是一个扇区4KB,一个扇区可以存256个字,一个字是8位,一个块是64KB,一共有256个块组成一个存储flash内存。...

标签:FPGAFlaSh内存状态寄存器芯片控制器2024-04-19287

美光232层QLC NAND芯片已量产并出货,推出SSD新品

美光科技近期宣布,其创新的232层QLC NAND芯片已成功实现量产并已开始出货。这一里程碑式的成就标志着美光在NAND技术领域再次取得了显著进步,巩固了其在全球存储解决方案市场的领导地位。...

标签:SSD美光科技固态硬盘NAND芯片SSD固态硬盘美光科技2024-04-29203

存储芯片行业曙光初现,上下游涨价拉锯战持续

进入4月,固态硬盘的现货价格保持稳定,甚至出现部分产品价格高于官方售价的倒挂现象,进而引发了跌价。...

标签:DRAM固态硬盘存储芯片Nand flash2024-04-28272

三星宣布量产第九代V-NAND芯片,位密度提升50%

在技术层面,第九代V-NAND无疑展现出了三星的卓越技术实力。它采用了双重堆叠技术,在原有的旗舰V8闪存236层的基础上,再次实现了技术上的重大突破,堆叠层数飙升至惊人的290层。...

标签:NANDTLC三星NANDTLCV-NAND三星2024-04-28254

江波龙:收购Lexar(雷克沙)后美国长达7年的合规义务要求已全面终止

江波龙:收购Lexar(雷克沙)后美国长达7年的合规义务要求已全面终止 近日,我国著名存储厂商江波龙欣然宣布,于4月24日顺利接收到来自美国司法部门的正式通知文件(即“终止函”)。这...

2024-04-26标签:存储江波龙雷克沙189

JesFS Flash文件系统:高效管理小型控制器大数据存储新方案

JesFS Flash文件系统:高效管理小型控制器大数据存储新方案

CC13xx/26xx系列处理器的Launchpad开发平台物美价廉,配备TI的CCSTUDIO[3]IDE,可以进行源代码调试。CC13xx/26xx开发平台配备了一片1MB的串行Flash存储器,大小只有2mmx3mm!...

标签:控制器FlaSh数据存储文件系统2024-04-2649

余震恰逢原厂缺货期,固态硬盘或迎新一轮涨价

今日凌晨,中国台湾东部的花莲县连续发生地震,最高强度为6.3级,震源深度10公里,据中国地震台网分析,本次地震均为4月3日台湾花莲县海域发生的7.3级地震的余震。中国台湾地区在全球半...

2024-04-23标签:存储固态硬盘930

RDMA在高速网络中的应用及其实现策略

RDMA在高速网络中的应用及其实现策略

在大型模型应用领域,要获得最佳性能,关键在于精密配置,特别是当GPU与InfiniBand网卡协同工作时。这里参考了合作伙伴NVIDIA推出的DGX系统,它倡导了一种GPU与InfiniBand网卡一对一配对的设计理...

标签:cpugpu适配器计算机网络RDMA2024-04-2278

什么是相变存储器?如何表征相变材料及器件电学性能?

什么是相变存储器?如何表征相变材料及器件电学性能?

相变存储器(Phase-Change Random Access Memory,简称 PCRAM 或者PCM),是一种非易失性存储器,利用电能(热量)使相变材料在晶态(低阻)与非晶态(高阻)之间的相互转换来实现信息的存储和擦除,通过测...

2024-04-27标签:存储器非易失性存储器26

DDR SDRAM 和SDRAM的主要差异

DDR SDRAM 和SDRAM的主要差异

DDR内存通过在时钟周期的上升沿和下降沿都传输数据,从而实现双倍数据率。这意味着在每个时钟周期内,DDR内存能够传输两次数据,提高了数据传输效率。...

2024-04-27标签:DRAMSDRAM存储器DDR内存35

企业存储设备资源划分之存储基础实验探究

企业存储设备资源划分之存储基础实验探究

1.web访问存储管理页面 2.创建硬盘域 根据业务需求调整硬盘域 3.在硬盘域之上创建存储池,分别创建一个文件及存储StoragePool002和块级存储StoragePool001...

标签:Web文件系统Web块存储文件系统2024-04-1963

东芝日本裁员情况:计划裁员约5000人

据日本媒体报道,东芝计划在日本本土裁员约5000人,这一数字占其日本员工总数的近十分之一。...

2024-04-18标签:东芝半导体器件机械硬盘395

康盈半导体:嵌入式存储进阶,加速AI落地智能穿戴

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)近日,TechInsights可穿戴设备研究服务指出,预计2024年,全球智能手表的销量将达到9100万台,同比增长5%;2025年增长率将进一步上升至近8%,到2026年将保持在7%以...

2024-04-18标签:可穿戴设备嵌入式存储800

铠侠公司重启上市计划

作为半导体存储器行业的佼佼者,铠侠始终站在市场和技术的前沿。在人工智能技术的持续渗透下,半导体存储器的需求呈现出稳健的增长态势。...

标签:半导体存储器人工智能Nand flash铠侠Nand flash东芝存储器人工智能半导体存储器铠侠2024-04-17348

3D DRAM进入量产倒计时,3D DRAM开发路线图

3D DRAM进入量产倒计时,3D DRAM开发路线图

目前,各大内存芯片厂商,以及全球知名半导体科研机构都在进行3D DRAM的研发工作,并且取得了不错的进展,距离成熟产品量产不远了。...

标签:处理器DRAM三星电子晶体管3D DRAMDRAM三星电子三星电子处理器晶体管2024-04-17125

存储技术革新之战 闪存与内存巨头竞相突破

三星在DRAM芯片工艺方面也取得了令人瞩目的突破。他们的DRAM芯片工艺已达到1b nm级别,并计划在今年内启动1c nm DRAM的量产工作。...

标签:闪存DRAMNAND闪存SK海力士三星2024-04-16406

美光发布新一代LPDDR5X内存,功耗降低4%

美光强调,这款新型内存不仅延续了为AI密集型应用提供稳定高带宽的传统优势,更在能效方面实现了显著突破。...

标签:内存AI美光科技SK海力士LPDDR52024-04-15413

消息称三星Q2供应超微HBM3E 下半年启动大规模量产

HBM,即高带宽内存,以其独特的“楼房设计”概念,打破了传统DDR内存的设计局限,凭借出色的性能在市场中赢得了广泛认可。...

2024-04-15标签:DDR内存HBM三星HBM3E618

四种不同类型的存储器介绍

ROM、RAM、DRAM和SRAM都是计算机存储技术的术语,它们代表了不同类型的存储器,各自有不同的特性和用途...

标签:DRAMROMsramRAM随机存取存储器2024-04-15120

三星电子即将开启290层V9 NAND芯片量产

市场研究机构Omdia的最新预测显示,尽管NAND闪存市场在2023年经历了下滑,但预计今年将迎来强劲反弹,增长率高达38.1%。...

标签:NAND三星电子存储芯片闪存技术SK海力士2024-04-12542

西部数据硬盘全线提价,AI需求激增与供应链紧张成涨价双引擎

西部数据高级副总裁Scott Davis在函件中明确指出,由于市场对HDD机械硬盘和SSD固态硬盘的需求远超预期,导致产品供应出现严重短缺。...

2024-04-11标签:SSDAI固态硬盘西部数据HDD433

三星与SK海力士加速移动内存堆叠技术量产

随着人工智能在智能手机、笔记本等移动设备上的广泛应用,端侧AI已经成为行业热议的焦点。为了支持端侧运行模型的高效运行,移动DRAM的性能要求也在不断提升。...

2024-04-10标签:DRAM人工智能HBMFOWLP三星393

美光科技拟上调产品报价,涨幅预计突破20%

就在几天前的4月3日,台湾花莲县海域遭受了一场7.3级的强烈地震,并伴随着多次余震,给当地带来了严重的破坏。...

2024-04-10标签:闪存DRAMNAND半导体行业444

存储市场再遇供应短缺困境,SSD价格强势上涨引关注

在消费级SSD市场,价格也呈现上涨趋势,批发价较前一季度上涨了约10%至12%。尽管面对涨价要求,大多数买家表示接受,但也有人对此提出了警告。...

标签:SSD固态硬盘存储设备Nand flash三星2024-04-09468

关于同步FIFO和异步FIFO的基础知识总结

关于同步FIFO和异步FIFO的基础知识总结

FIFO是一种先进先出数据缓存器,它与普通存储器的区别是没有外部读写地址线,使用起来非常简单,缺点是只能顺序读写,而不能随机读写。...

标签:数据传输EDA工具二进制计数器EDA工具FIFO存储二进制数据传输计数器2024-04-09596