制造新闻
一种LTCC衬板上的膜型压电阀设计方案
本研究开发了一种LTCC衬板上的膜型压电阀，设计制造了一种单变形压动器和一种互补的三维陶瓷结构，阀门的性能通过气体流量、执行器位移和开关时间来描述，在进一步开发中，主动压电阀...
碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉积方法
摘要 本文提供了在衬底表面上沉积碳化硅薄膜的方法。这些方法包括使用气相碳硅烷前体，并且可以釆用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可以在低于600“C的温度下进行，例如在大约23丁...
东芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模块
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”；额定电压为1700V、额定漏极电流为400A的“MG400V2YMS3”...
使用超临界二氧化碳剥离碳化光刻胶的实验
关键词:超临界清洗，离子注入光刻胶，光刻胶剥离 摘要 本文提出了一种有效的、环保的干剥离方法，使用超临界二氧化碳(SCCO2)系统，在40℃到100℃和压力从90巴到340巴时去除离子植入的光刻剂...
关于氧化锌的基本性质和应用的报告
本文概述了氧化锌的基本性质，包括晶体结构、能带结构和热性质，并介绍了其应用前景、氧化锌块体、薄膜和纳米结构，氧化锌的机械性质、基本电子和光学性质以及潜在的应用。 晶体结构...
吉方定制化服务，持续为客户提升价值
吉方工控拥有完善的供应链体系，多年来与英特尔保持战略合作关系，与国产芯片厂商也有良好的互动。在以客户为导向的工作原则指导下，我们对供应链进行了科学的管理和严格的品控。...
Transphorm的快速充电器和电源适配器用GaN器件
高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布，该公司2021年12月份的SuperGaN® Gen IV场效应晶体管(FET)出货量突破100万大关。这一里程碑进一步证实...
标签：充电器FET电源适配器GaNTransphorm2022-01-164520
O极和Zn极ZnO单晶的蚀刻行为
引言 氧化锌是最广泛研究的纤锌矿半导体之一。氧化锌不仅作为单晶，而且以多晶薄膜的形式。其显著的性能，如宽直接带隙3.37 eV，大结合强度内聚能1.89 eV，熔点2248 K，高激子结合能60 meV，即...
在氯化钠-异丙醇溶液中的表面钝化和形态
引言 原子平面的制备是半导体基板上原子尺度操作的必要前提。由于自组装现象或使用原子探针技术操纵单个原子，只有原子平面的表面才能产生可重复制造纳米级原子结构的机会。原子平坦...
微气泡对光刻胶层的影响
关键词：氧气、微气泡、光刻胶、高剂量离子注入、气水界面 介绍 微气泡是一种很有前途的环保光刻胶去除方法的候选方法。已经证明，臭氧微气泡可以去除硅片上的光刻剂，即使被高...
混合铝蚀刻剂的化学特性分析
摘要 我们华林科纳研究了正磷酸、聚磷酸、和铁(III)氯化物蚀刻剂对工艺条件变化的敏感性，以确定该蚀刻剂系统在纯铝电路光刻制造中的潜在生产应用。温度变化、正磷酸浓度、多磷酸浓度的...
多磷酸蚀刻剂的化学特性
摘要 在印刷和蚀刻生产厚金属膜中的精密图案时，需要对化学蚀刻剂有基本的了解，以实现工艺优化和工艺控制。 为了蚀刻纯铝电路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化铁的配方。 研究的目的是确...
使用单一晶圆加工工具蚀刻晶圆背面薄膜的方法
引言 随着半导体技术的发展，为了在有限的面积内 形成很多器件，技术正在向多层结构发展。要想形成多层结构，会形成比现有更多的薄膜层 ,这时晶片背面也会堆积膜。目前，在桔叶式设备...
开年专访谷泰微创始人兼CEO石方敏：2022本土IC要迎“大考”
随着全球数字化转型加速以及AIOT、智能汽车市场爆发，全球集成电路市场规模加速增长，预计2021年全球集成电路市场将增长到5700亿美元，未来5年将更增长到1万亿美元的规模！...
Nano Dimension宣布收购Essemtec AG
-Essemtec AG是一家为印刷电路板和原始设备制造商行业提供表面贴装取放系统的供应商 -本次收购有助于为以下方面的突破性进展奠定基础：作为增材制造电子产品解决方案一部分的微芯片放置方...
SiO2在氢氟酸中的刻蚀机理
摘要 研究了高频和高频/HCI溶液中的不同平衡点，并研究了SiQ的蚀刻反应作为高频溶液中不同物种的函数。基于HF二聚体的存在，建立了一种新的SiO~蚀刻机制模型， SiQ在高频溶液中的溶解是在集...
