Al2O3钝化PERC太阳能电池的工业清洗序列
摘要 在本文中，我们研究了测试晶圆和PERC太阳能电池的不同工业适用清洗顺序，并与实验室类型的RCA清洗进行了比较。清洁顺序pSC1、HF/HCl、HF/O3和HF/O3显示出1 ms至2 ms之间的寿命，这与对应于低...
2021-12-31 1539
异丙醇(IPA)的解吸特性和IPA蒸汽干燥硅晶片中的水分
引言 为了评估用各种程序清洗和干燥的晶圆表面的清洁度，我们通过高灵敏度的大气压电离质谱(APIMS)成功地分析了这些晶圆表面的排气量。特别是，通过将晶片表面的解吸气体引入APIMS，研究...
2021-12-30 4730
2021第三代半导体产教融合发展论坛成功举办
由第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）主办、泰克科技（中国）有限公司和北京博电新力电气股份有限公司协办的“2021 第三代半导体标准与检测研讨会”在深圳召开。...
2021-12-29 1737
化学蚀刻的铜-ETP铜的实验分析
引言 化学蚀刻是通过与强化学溶液接触来控制工件材料的溶解。该过程可以应用于任何材料。铜是利用化学腐蚀工艺制造微电子元件、微工程结构和精密零件中广泛使用的工程材料之一。在这...
2021-12-29 2143
Cu CMP后清洗中添加剂对颗粒粘附和去除的影响
引言 Cu作为深度亚微米的多电级器件材料，由于其电阻低、电迁移电阻高和电容降低，与铝相比的时间延迟。本文从理论和实验上研究了柠檬酸基铜化学机械平坦化后二氧化硅颗粒对铜膜的粘附...
2021-12-29 1127
半导体晶片的湿蚀方法、清洗和清洁
关键词 晶圆清洗 电气 半导体 引言 半导体器件的制造是从半导体器件开始广泛销往市场的半个世纪 前到现在为止与粒子等杂质的战斗。半个世纪初，人们已经了 解了什么样的杂质会给半导体...
2021-12-29 2291
紫外荧光在晶圆表面清洁分析中的应用
引言 紫外荧光(UVF)是一种新颖而通用的检测硅片表面金属杂质污染的方法。我们证明了UVF在硅片加工中污染控制的有效性。实验显示了室温下铁、铜、镍、钠等主要特征峰。与其他表面敏感技术...
2021-12-28 839
南安芯谷入驻项目集中签约仪式暨产业服务专题发布成功举办
12月25日，由南安市石井镇党委、政府，泉州芯谷南安分园区办事处和联东U谷联合主办的“芯动南安 成功石井”南安芯谷入驻项目集中签约仪式暨产业服务专题发布会在南安市石井镇成功举办。...
2021-12-27 489
聚合物光波导制备用于硅基板上的自旋涂层薄膜的界面粘合
引言 研究了用于制造聚合物光波导的旋涂聚合物粘合薄膜在硅衬底上的界面粘合。通过使用光刻工艺在硅衬底上制造粘合剂剪切按钮，并用D2400剪切测试仪测量界面粘合。在同一样品的不同部分...
2021-12-27 1304
优化缩短3D集成硅通孔(TSV)填充时间的创新方法
本文介绍了一种新型的高纵横比TSV电镀添加剂系统，利用深层反应离子蚀刻(DRIE)技术对晶片形成图案，并利用物理气相沉积(PVD)技术沉积种子层。通过阳极位置优化、多步骤TSV填充过程、添加剂...
2021-12-27 1646
半导体工艺之介电蚀刻工艺中等离子体的蚀刻处理
摘要 本文主要研究了从接触刻蚀、沟槽刻蚀到一体刻蚀的介质刻蚀工艺中的刻蚀后处理。优化正电子发射断层扫描步骤，不仅可以有效地去除蚀刻过程中在接触通孔的侧壁底部形成的副产物，...
2021-12-27 2649
贸泽电子田吉平：2022年晶圆产能会提升，芯片短缺需要更长时间缓解
岁末年初之际，电子发烧友网策划的《2022半导体产业展望》专题，收到超过60位国内外半导体创新领袖企业高管的前瞻观点。此次，电子发烧友特别采访了贸泽电子亚太区市场及商务拓展副总裁...
2021-12-27 6620
RCA清洁变量对颗粒去除效率的影响
摘要 在湿化学加工中，制造需要表面清洁度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工艺参数，特别是对于常见的清洁技术RCA clean (SC-1和SC-2) [2]。本文讨论了表面处理参数的特点及其影响。硅技...
2021-12-27 841
《华林科纳-半导体工艺》化学品对硅片上金属污染的影响
摘要 对实自不同供应商的化学5进行了清法后残自在理最片上的全属污染水平的测试。在江省过在中，评估了来自三个供应商的盐整机复氧化镇以及来自四个供应母的讨氧化复，在RCA标准济夜市...
2021-12-27 569
半导体锗光电探测器与非晶硅基板上的非晶硅波导单体集成
引言 我们展示了一个利用高质量的绝缘体上锗(GeO)晶片通过晶片键合技术制造的阿格/非晶硅混合光子集成电路平台的概念验证演示。通过等离子体化学气相沉积形成的非晶硅被认为是传统硅无...
2021-12-24 1772
氢氟酸水溶液中离子辐照LiNbO3的蚀刻
引言 用多能氩离子辐照x射线切割铌酸锂单晶，产生厚度为400纳米的均匀损伤表面层，研究其在HF水溶液中的腐蚀行为。使用不同的酸温度和浓度，表明可以通过将温度从24℃提高到55℃来提高蚀...
2021-12-23 1345
半导体单晶片旋转清洗器中涡流的周期性结构
引言 近年来，随着集成电路的微细化，半导体制造的清洗方式从被称为“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐渐改变为“单张式”的晶片一次清洗的方式。在半导体的制造中，各工序之间进行...
2021-12-23 1149
氮化硅陶瓷在氢氟酸水溶液中的水热分解行为
引言 精细陶瓷由于其优越的机械性能和功能性能，在过去的二十年中得到了发展。最近，从环境和经济的角度来看，希望开发具有较低能量的制造工艺，因为生产精细陶瓷需要相当大的能量。...
2021-12-23 1565
在HF水溶液中处理的GaP表面的特性
引言 椭偏光谱(SE)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)、润湿性和光致发光(PL)测量研究了HF水 溶液中化学清洗的GaP(OOl)表面。SE数据清楚地表明，溶液在浸入样品后(W1分钟)会立即去除自然...
2021-12-22 1697
宇阳科技MLCC项目荣获2021年度省电子信息行业科技进步奖
宇阳科技5G通信用微波高Q片式多层陶瓷电容器的关键技术研究项目和“008004超微型片式多层陶瓷电容器的量产及关键技术研究”项目分别荣获科技进步二等奖、三等奖。...
2021-12-22 3416
中科驭数宣布完成数亿元A+轮融资 第二代DPU芯片完成研发设计
中科驭数正在研发的第二代DPU芯片K2已经完成设计和验证工作，预计将于2022年第一季度投产流片。...
2021-12-21 5637
RISC-V架构国产芯片再迎超强玩家
12月17日，首届滴水湖中国RISC-V产业论坛在上海临港滴水湖皇冠假日酒店举行，来自全国各地的RISC-V“玩家”汇聚于此，共同探讨推动国产RISC-V芯片快速产业化落地和应用创新的可能。RISC-V自面...
2021-12-20 3652
SC-1颗粒去除和piranha后漂洗的机理研究
SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清洁剂已经使用多年来去除颗粒和有机污染物。尽管SC-1清洁剂(通常与施加的兆频超声波功率一起使用)被认为对颗粒去除非常有效，但去除机制仍不清楚。对于去，除重有机...
2021-12-20 1300
苹果自研射频芯片？OPPO自研NPU芯片！芯片的国产替代需要跨越三个误区！
系统厂商、终端厂商自研芯片，对于传统集成电路设计企业是一个巨大威胁吗？如何看中国集成电路领域的国产替代进程？国产替代当中有哪些误区？微纳研究院CTO吴海宁、求是缘半导体联盟荣...
2021-12-20 10449
国产操作系统再“超越”，RT-Thread推动AIoT产业变革
电子发烧友网报道（文/程文智）12月18日，RT-Thread开发者大会在深圳大中华喜来登酒店举办，本届大会的主题是“Beyond”，寓意超越自我，突破边界。在上午的主题演讲环节，来自RT-Thread的主要...
2021-12-20 7769
奈何实力不允许？印度引进芯片制造，富士康、高塔感兴趣，水电、人才成最大
电子发烧友网报道（文/李弯弯）日前，印度政府批准了一项100亿美元的激励计划，吸引全球半导体和显示器制造商到印度建立工厂。根据该计划，印度政府将向符合资质的显示器和半导体制造...
2021-12-20 6521
飞腾为集成电路提供人才培养支持，推进人才供给结构性改革
2021年3月，《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》发布，瞄准集成电路前沿领域，实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目，此前，国家各部委...
2021-12-17 5289
富士康引领制造业数字化转型的行业先驱
12月10日结束的中央经济工作会议上，中央提出通过大力开展核心技术攻关提升制造业核心竞争力，推动实现增强产业链自主可控；而通过推进数字化、绿色低碳转型，提升产业链工业链水平无...
2021-12-17 2987
宋仕强关于萨科微半导体发展历程答记者
宋仕强关于萨科微半导体发展历程答记者 受访对象：萨科微半导体创始人宋仕强先生 采访主题：萨科微半导体的成长史的几个问题 近年来，在半导体“国产替代”和解决欧美国家对我们“卡脖...
2021-12-16 7094
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