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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)
动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。
3管动态RAM的工作原理3管动态RAM的基本存储电路。在这个电路中,读选择线和写选择线是分开的,读数据线和写数据线也是分开的。
写操作时,写选择线为“1”,所以Q1导通,要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极,并通过栅极电容在一定时间内保持信息。
读操作时,先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电,当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有“1”,则Q2导通,读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电,此时读得的信息为“0”,正好和原存信息相反;若原存信息为“0”,则Q3尽管具备导通条件,但因为Q2截止,所以,CD上的电压保持不变,因而,读得的信息为“1”。可见,对这样的存储电路,读得的信息和原来存入的信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反相再送往 数据总线。
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)
动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。
3管动态RAM的工作原理3管动态RAM的基本存储电路。在这个电路中,读选择线和写选择线是分开的,读数据线和写数据线也是分开的。
写操作时,写选择线为“1”,所以Q1导通,要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极,并通过栅极电容在一定时间内保持信息。
读操作时,先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电,当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有“1”,则Q2导通,读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电,此时读得的信息为“0”,正好和原存信息相反;若原存信息为“0”,则Q3尽管具备导通条件,但因为Q2截止,所以,CD上的电压保持不变,因而,读得的信息为“1”。可见,对这样的存储电路,读得的信息和原来存入的信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反相再送往 数据总线。
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随着当今数据迅速增长,传统的冯诺依曼架构内存墙正在成为计算性能进一步提升的阻碍。新一代的存内计算(IMC)和近存计算(NMC)架构有望突破这一瓶颈,显著...
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DDR和LPDDR都是动态随机存取存储器(DRAM)的类型,它们在计算机和移动设备中用于临时存储数据。
三星电子与SK海力士预测存储芯片市场需求强烈,HBM产能售罄
全球知名存储芯片制造巨头三星及SK海力士预判,今年DRAM和高带宽存储器(HBM)价格将持续攀升,受益于市场对于高端芯片,尤其是人工智能相关芯片的强大需求。
SK海力士、三星电子:HBM内存供应充足,明年HBM4将量产
这类内存的售价远高于主流 DRAM,而由于制作 TSV 工艺的良率问题,对晶圆的消费量更是达到普通内存的 2-3 倍。因此,内存厂商需提高 HBM 产量...
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美光LPDDR5内存为汽车高级驾驶辅助系统(ADAS)提供解决方案
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尽管韩国在逻辑芯片市场的地位有所下滑,但得益于AI芯片需求的激增,DRAM市场如高带宽存储器(HBM)等产品需求旺盛,韩国DRAM产能将从2022年的5...
据此,现有的DRAM设计团队将主要负责HBM3E内存的开发和优化,而今年三月份新设立的HBM产能与质量提升团队则专攻下一代技术——HBM4。
兆易创新近日在业绩说明会上展望了公司未来的发展蓝图。公司高管表示,面对2024年营收目标73亿元的挑战,兆易创新将保持战略定力,致力于扩大市场占有率和提...
具体而言,现有的DRAM设计团队将负责HBM3E内存的进一步研发,而三月份新成立的HBM产能质量提升团队则专注于开发下一代HBM内存——HBM4。
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