深圳技术大学减薄机和抛光机意向公开-其他仪器仪表
发布时间 | 2024-02-07 | 项目编号 | 点击查看 |
招标预算 | 260.0万元 | 资质要求 | 点击查看 |
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深圳技术大学减薄机和抛光机意向公开
采购单位: | 深圳技术大学 |
项目名称: | 减薄机和抛光机 |
预算金额(元): | 2,600,000.000 |
采购品目: | 其他仪器仪表 |
采购需求概况: | 拟购置减薄机和抛光机一批: 一.减薄机,1套,配置参数包括: 1.可兼容8英寸及以下晶圆,可兼容Si、 GaAs、InP 、GaN衬底,支持贴膜、贴蜡和键合片 2.配备自动即时测厚系统,采用接触式测量方式,厚度在线测量范围≥0~4800um,厚度在线测量分辨率≤0.1um,厚度在线测量重复精度≤±0.001mm; 3.工艺指标1:Si晶圆可减薄至厚度150um或更薄; 减薄后粗糙度≤20nm; 单片晶圆内的厚度偏差TTV≤±2um; 不同晶圆间的厚度偏差WTW≤±2um(中心点) 4.工艺指标2:GaAs晶圆可减薄至厚度350um或更薄; 减薄后粗糙度≤30nm; 单片晶圆内的厚度偏差TTV≤±2um; 不同晶圆间的厚度偏差WTW≤±2um(中心点) 二.抛光机,1套,配置参数包括: 1.兼容8inch及以下晶圆,兼容Si、GaAs、InP衬底,支持键合片、贴膜、贴蜡片 2.配置双抛光头,气囊加压方式,气囊压力通过多孔陶瓷吸盘给晶圆加压,抛光头压力0~100KG可调,压力调节精度≤1公斤。 3.抛光头转速0~150 rpm可调,抛光过程中摆动距离不小于±15mm。 4.有抛光垫修整功能 5.具有自动抛光程序,可设定抛光盘转速、抛光头转速、抛光时间、抛光压力、抛光液流量等工艺参数,可保存至少20组抛光程序 6.工艺指标(6英寸晶圆): GaAs晶圆抛光后的表面粗糙度≤4nm; Si晶圆抛光后的表面粗糙度≤1nm; 单片晶圆内的厚度偏差TTV5 ≤±2um(测量点为wafer边缘往内3mm); 不同晶圆内的厚度偏差≤±2um(测量点为wafer中心点); |
联系人: | 董颖慧 |
联系电话: | 0755-* |
预计采购时间: | 2024-03 |
备注: | 无 |