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MOS管在光伏逆变器中的应用

MDD辰达半导体来源:MDD辰达半导体2024-07-05 09:3483次阅读

随着全球能源需求的不断增长和环境污染问题的日益严峻,太阳能光伏发电作为一种清洁、环保的可再生能源技术,得到了前所未有的重视和快速发展。光伏逆变器是将太阳能光伏阵列产生的直流电转换为交流电的关键设备,其中MOSFET管(金属氧化物半导体场效应晶体管)在光伏逆变器中起着至关重要的作用。MOSFET管具有高开关速度、高效率和低导通电阻的特点,使其成为光伏逆变器中的理想选择。

MOSFET管是一种通过电场控制导通状态的半导体器件,分为N沟道和P沟道两种类型。其基本结构包括源极、漏极和栅极。通过在栅极施加电压,可以控制源极和漏极之间的电流导通或截止。MOSFET管的开关特性使其非常适用于高频、高效率的开关电路

DC-AC转换阶段:

在光伏逆变器的DC-AC转换阶段,MOSFET管用于全桥或半桥逆变电路,通过高频开关实现直流到交流的转换。此阶段要求MOSFET管具有高耐压和低导通电阻,以提高转换效率和可靠性。

功率因数校正(PFC):

MOSFET管在PFC电路中用于提高系统的功率因数和降低谐波失真。高效的PFC电路可以显著改善电能质量,使逆变器更加高效和环保。

◆ 最大功率点追踪(MPPT):

MPPT控制电路通过调节MOSFET管的工作状态,使光伏阵列在不同环境条件下始终工作在最大功率点。MOSFET管的快速响应特性对于实现高效的MPPT控制至关重要。

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MPPT电路DC-DC应用中MOSFET管的开关频率高达几百KHz,对MOSFET管的动态参数要求较高,SGT管的低Ciss、Crss,低内阻的特性非常适合高频应用。DFN5*6 TO-252、TO-220/247封装为主。

整流电路应用贴片TTF封装,小尺寸大电流、快恢复特点,可显著提升效率,降低EMI,满足高效率和高功率密度的性能要求

MOSFET管在逆变器应用主要为前级升压和后级逆变两部分。前级升压将电池电压升至高压,后级逆变将高压逆变成交流电。MOSFET管选型封装一般有TO-252,DFN5*6,TO-220,TO-247等为主。后级逆变常用拓扑结构为全桥逆变,一般选用650~1200V 高压MOS,封装TO-220/TO-247插件封装为主。

MDD辰达半导体推出的MOSFET管具有高可靠性、低导通损耗和高雪崩能力等特点,这些特性使其在逆变器应用中显得尤为重要和可靠。

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公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制消费电子通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。

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  • MOSFET
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原文标题:MDD小课堂,MOS管在光伏逆变器中的关键角色与选型分析

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