模拟技术
用三极管搭建一个优化交叉失真的B类功放电路，附带仿真实例分析
推挽放大器是一种功率放大器，用于向负载提供高功率。它由两个晶体管组成，一个是NPN，另一个是PNP。一个晶体管在正半周期推动输出，另一个晶体管在负半周期拉动输出，这就是为什么它被...
从原理到应用，800字搞定达林顿晶体管电路
达林顿晶体管是一种由两个晶体管（BJT）组成的复合器件，它们以一种特殊的方式连接，以实现更高的电流增益。达林顿晶体管通常用于需要高电流增益和高输入阻抗的场合，例如开关电路和放...
思瑞浦解读高PSRR、高压运算放大器TPA267x典型应用与产品特性
TPA267x系列产品带宽10MHz，压摆率达到15V/μs，产品在100KHz电源干扰下抑制比达到了80dB，降低了客户在电源上的设计成本，广泛适用于工业自动化、光伏储能、电机驱动器和音频设备等领域。...
提供稳定时钟同步的低抖动差分晶振
电子发烧友网报道（文/李宁远）晶振，是电子设备中的关键器件，电子设备各个模块想要同步工作需要晶振提供的稳定时钟信号。除了提供稳定的时钟信号，晶振在生成各种频率的信号以及在...
各类常用混频器的高层次设计和优缺点
在RF和微波设计中，混频是信号链最关键的部分之一。过去，很多应用都受制于混频器的性能。混频器的频率范围、转换损耗和线性度，决定了混频器能否用于特定应用。频率高于30 GHz的设计很...
KOWIN存储芯璀璨亮相南京国际半导体大会
2024世界半导体大会暨南京国际半导体博览会于6月5-7日在南京国际博览中心4号馆举办，现场云集300+家行业领军企业，开展EDA/IP核产业发展高峰论坛、2024人工智能创新应用国际峰会、半导体智能...
三菱电机发布新型低电流SiC-MOSFET模块
三菱电机集团近日宣布推出两款新型低电流版本的肖特基势垒二极管（SBD）嵌入式SiC-MOSFET模块，以满足大型工业设备市场对高性能逆变器日益增长的需求。这两款新模块分别是3.3kV/400A和3.3kV/...
安森美发布高功率密度IGBT模块，助力能源系统优化
在智能电源和感知技术领域，美国纳斯达克上市的安森美公司（onsemi，股票代码：ON）再次展现其技术实力。近日，该公司正式发布了第7代1200VQDual3绝缘栅双极晶体管（IGBT）功率模块，标志着电...
纳微半导体发布第三代快速碳化硅MOSFETs
纳微半导体作为GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体的行业领军者，近日正式推出了其最新研发的第三代快速（G3F）碳化硅MOSFETs产品系列，包括650V和1200V两大规格。...
思瑞浦推出TPA267x系列运算放大器
半导体行业的领军者思瑞浦3PEAK近日正式发布了一款高性能运算放大器系列——TPA267x。这款新型运算放大器以其出色的性能参数，再次彰显了思瑞浦在模拟芯片和嵌入式处理器领域的创新实力。...
思瑞浦发布高性能运算放大器TPA267x系列
近日，专注于高性能模拟芯片和嵌入式处理器的半导体供应商思瑞浦3PEAK，全新推出了TPA267x系列运算放大器。这一系列放大器以其高电源抑制比（PSRR）、高带宽以及高压特性，成为行业内的新...
SiC MOSFET：通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
首先，计算开通和关断时间内消耗的功率损耗Pton和Ptoff。波形使用图1中的示例波形。功率损耗使用表1中的近似公式来计算。由于计算公式会因波形的形状而有所不同，因此请选择接近测得波形...
MOS集成电路防止静电干扰方法详解
MOS（金属氧化物半导体）集成电路由于其高集成度和敏感的氧化层结构，对静电放电（ESD）非常敏感。...
碳化硅器件的基本特性都有哪些？
碳化硅（SiliconCarbide,SiC）器件作为第三代半导体材料的重要代表，近年来在电子器件领域中备受关注。...
光纤转换器的定义和使用方法
光纤转换器，也称为光纤收发器或光纤交换机，是一种将电信号转换为光信号或将光信号转换回电信号的设备。...
Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器
Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。...
标签：MOSFETIGBTSiCLittelfuse栅极驱动器2024-05-23413
#参考设计#基于ADES 175414通道电池组监控系统
ADES 1754评估套件（EV套件）用于演示ADES 1754/ADES 1755/ADES 1756 14通道、高压、智能传感器、数据采集接口IC的特性和功能。ADES 1754 EV套件与MAX 17851 EV套件耦合，以建立与主机PC的通信。通信建立后，...
今日看点丨消息称特斯拉滚动式裁员将持续到6月；华为路由器发货量破亿
1. 传Meta 、LG 在XR 头显领域合作终止 据韩国业界消息，Meta与LG在XR（混合现实）领域的合作达成仅2个月后就已终止。2024年2月，Meta CEO马克·扎克伯格十年来首次访问韩国，并与LG CEO Cho Joo-wa...
2024-05-22标签：特斯拉429
芯海科技系列车规产品全芯闪耀AUTO TECH 2024
5月15日至17日，第十一届中国广州国际汽车技术展览会（AUTO TECH 2024）在广州保利世贸博览馆隆重举办。开展首日，现场人头攒动、热烈非凡，超5000多位专业观众摩肩接踵，显示了汽车行业的蓬...
API集成: 加速半导体供应链协同优化新引擎
API/EDI集成专家SEEBURGER携手德州仪器（TI） ，实现TI API轻松接驳！ 半导体供应链中的角色多，关联性强且分布广泛，其复杂度显而易见。API集成是协同供应链、加速业务流程、实现高效自动化采...
思瑞浦推出高速模拟开关TPD160221
近日，思瑞浦3PEAK在模拟开关领域迈出了重要一步，正式推出了其全新产品——TPD160221高速模拟开关。这款开关凭借其卓越的性能和广泛的兼容性，迅速在市场上引起了关注。...
DigiKey推荐一款RECOM Power的RPxx-RAW系列DC/DC转换器
RECOM Power 的转换器专为具有超宽连续输入电压范围的铁路机车车辆应用而设计。...
Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET产品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK® 8 x 8 LR封装技术，标志着第四代600V E系列功率MOSFET的诞生。这一创新产品为通信、工业及计算领域带来...
纳芯微发布全新低压5.5V通用运算放大器NSOPA8xxx系列
纳芯微近日拓展了其NSOPA系列产品线，发布了全新的低压5.5V通用运算放大器NSOPA8xxx系列。该系列不仅继承了NSOPA系列一贯的卓越性能，包括出色的抗干扰能力和高共模抑制比，更在低压供电环境...
纳芯微推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列
纳芯微近期发布了其首款1200V SiC MOSFET产品——NPC060N120A系列，该系列产品的RDSon值低至60mΩ，展现了出色的性能。这款MOSFET提供了两种封装形式，包括通孔式的TO-247-4L和表面贴装的TO-263-7L，以满...
