回答了问题2024-7-24 08:27
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"长时间反向工作是可能损坏的,你看规格书上是有针对8/20US或者TLP测试时候的最大耐受功率的,那个是瞬态的损坏功率时间很短,长时间工作的话看下规格书上是否有长时间工作的电流,如果没有的话可能需要根据结温和温 ..."
回答了问题2023-6-25 17:31
3
"这个要取决于你的负载电容值和状态,正常情况下不超过你的设计规格的话不会被拉低的"
回答了问题2023-6-13 15:31
3
"1、有没可能输入接反导致,从这个电路看的话如果输入接反,直接24V-NMOS体二极管-D19-R82-GND导通的,这种情况下的话有可能NMOS的体二极管发热导致损坏? 2、有没可能NOMS的规格选择不合理导致比较临界导致? ..."
关注了版块2023-6-9 09:35
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关注了版块2023-6-9 09:29
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回答了问题2023-6-6 16:55
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关注了版块2023-6-6 16:43
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回答了问题2023-2-2 19:06
11
"看图的话可能是D14的问题导致导致Q61 S极接地电压被钳位到5.5V左右的原因吧,建议可以尝试下去掉D14看故障是否可以消除"
关注了版块2023-2-2 19:00
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回答了问题2023-1-28 10:32
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"建议先去ADI官网看下规格书,上面会有CPout的LPF滤波器的拓扑形式,按照规格书推荐拓扑的话你这个R1应该是接到R2和C3之间线上和C3构成LPF的话,所以他们才说你接反了 ..."
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回答了问题2023-1-13 10:004硬件工程师共进电子股份有限公司"下MOS损坏是不是下MOS管的规格选择不合理,Ron比较大或者通流量不足导致的?可以检查下MOS管相关的规格"
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回答了问题2022-12-2 11:464无无"是不是你的电解电容搞反了导致的,你再check下电解电容这边看看,电路图看的话并没有明显的问题"
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回复了帖子2022-9-1 14:492工程师TX"这个是个三极管驱动Pmos导通的电路,vcc _set 拉高时候三极管导通然后PMOS的G极接地,VGS负压导通,vcc _set 拉低时候三极管导不通此时VGS电压为0 PMOS不导通,此时没有电压应该正常的 ..."
关注了版块2022-9-1 09:00
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回复了帖子2022-9-1 08:46
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"理论来说的话越低频段对人体影响更大,因为低频段的话穿透能力和绕射能力越强,高频的话一般很难穿透人体皮肤,可以参考波长自行计算,波长越长功率越高对人体的影响越大 ..."
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