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IGBT模块吸收电容参数设计

IGBT模块采用吸收电路时，典型的关断电压波形如下图所示。从图中可以看出，初始浪涌电压△U1之后，随....

青岛佳恩半导体有限公司发表于08-05 14:48 •258次阅读

IGBT关断尖峰电压产生原理 IGBT有源钳位电路原理分析

在光伏逆变器等大功率应用场合，主电路(直流电容到IGBT模块间)存在较大杂散电感(几十到数百nH)。....

青岛佳恩半导体有限公司发表于07-26 10:03 •361次阅读

IGBT功率器件功耗

IGBT等功率电子器件在工作中，由于自身的功率损耗，将引起IGBT温度升高。引起功率器件发热的原因主....

青岛佳恩半导体有限公司发表于07-19 11:21 •405次阅读

IGBT功率器件的散热方式

功率器件的正常运行在很大程度上依赖于散热。常用的散热方式有自冷、风冷、水冷和沸腾冷却四种。

青岛佳恩半导体有限公司发表于07-15 16:31 •327次阅读

逆变器IPM/IGBT模块容量的选择

以IGBT模块应用三相逆变电路为例。

青岛佳恩半导体有限公司发表于07-15 16:28 •261次阅读

IGBT模块的功率损耗详解

IGBT模块关断截止时，I(t)≈0，损耗的功率可忽略。为了便于分析，将IGBT损耗分为导通损耗和开....

青岛佳恩半导体有限公司发表于05-31 09:06 •828次阅读

青岛佳恩半导体有限公司与西安电子科技大学合作签约仪式圆满成功！

5月28日，青岛佳恩半导体有限公司与西安电子科技大学战略合作签约仪式在青岛隆重举行，参加此次签约仪式....

青岛佳恩半导体有限公司发表于05-29 14:29 •430次阅读

典型IGBT短路保护电路的工作原理简析

图5-14所示是采用IGBT过流时UCE增大的原理构成的保护电路，该电路采用IGBT专用驱动器EXB....

青岛佳恩半导体有限公司发表于05-24 09:03 •8398次阅读

浅析IGBT并联技术-并联方法分类

IGBT并联可以分为“硬并联”及“桥臂并联”2大类。

青岛佳恩半导体有限公司发表于05-17 09:02 •8986次阅读

影响静态均流的因素 IGBT芯片温度对均流的影响

并联IGBT的直流母线侧连接点的电阻分量，因此需要尽量对称；

青岛佳恩半导体有限公司发表于05-10 11:40 •868次阅读

IGBT驱动器直接并联的优点和技术介绍

IGBT驱动器在并联的场合有2种配置方法（LS1，LS2为杂散参数）

青岛佳恩半导体有限公司发表于04-26 11:21 •929次阅读

一文详解IGBT半桥逆变电路

图1是半桥式逆变电路的原理图，它是在全桥式逆变电路的基础上用电容C1、C2代替了Q3、Q4两个IGB....

青岛佳恩半导体有限公司发表于04-19 10:17 •5170次阅读

关于IGBT模块的散热设计

由于IGBT模块自身有一定的功耗，IGBT模块本身会发热。在一定外壳散热条件下，功率器件存在一定的温....

青岛佳恩半导体有限公司发表于03-22 09:58 •1609次阅读

什么是隔离？电机控制中IGBT驱动为什么需要隔离？

电化隔离：电荷无法由一个电路移动到另一个电路，双方信号通过其他方式交换信息。

青岛佳恩半导体有限公司发表于03-08 10:57 •1995次阅读

IGBT驱动电路过流保护的分类及其检测方法

IGBT的过流保护电路可分为两类：一类是低倍数(1.2-1.5倍)的过载保护；另一类是高倍数（可达8....

青岛佳恩半导体有限公司发表于03-01 09:04 •2519次阅读

佳恩半导体成功入选青岛市2023年度小微企业创新转型项目名单！

近日，市民营经济发展局公示了青岛市2023年度小微企业创新转型项目的名单，我司成功入选，同时感谢大家....

青岛佳恩半导体有限公司发表于02-26 15:38 •409次阅读

IGBT典型过流保护电路设计分享

所谓集中过电流保护，就是检测逆变桥输入直流母线上的电流，当该电流值超过设定的阈值时，封锁所有桥臂IG....

青岛佳恩半导体有限公司发表于02-23 09:03 •1080次阅读

浅析IGBT元件的并联注意事项

由于门极-发射极连线电感LG、RG、还有Cies之间的关系，如果在门极驱动环路内发生震荡，有可能因为....

青岛佳恩半导体有限公司发表于01-25 09:11 •504次阅读

浅谈IGBT模块使用温度范围

IGBT模块的运行温度范围是非常重要的参数。一些设备要求工作在室温下，而另一些设备要求工作在很宽的温....

青岛佳恩半导体有限公司发表于01-19 16:25 •4045次阅读

IGBT模块的损耗特性介绍

IGBT元件的损耗总和分为：通态损耗与开关损耗。开关损耗分别为开通损耗(EON)和关断损耗(EOFF....

青岛佳恩半导体有限公司发表于01-12 09:07 •2077次阅读

IGBT模块的门极驱动介绍

额定门极驱动电压：门极驱动电压在±20V范围内施加超过此范围的电压时，门极-发射极间的氧化膜（SiO....

青岛佳恩半导体有限公司发表于01-05 09:06 •2676次阅读

IGBT模块电磁兼容性设计

变流器主电路在空间产生的磁场强度随输入、输出母线中通过电流的强弱而变化，同时IGBT模块产生的空间交....

青岛佳恩半导体有限公司发表于12-15 16:26 •385次阅读

IGBT单管及IGBT模块的区别在哪？

IGBT最常见的形式其实是模块（Module），而不是单管。

青岛佳恩半导体有限公司发表于12-08 14:14 •1839次阅读

一文了解IGBT的极限值

在文件数据表中，按照IGBT 模块（IGBT，二极管，壳体，温度传感器等）的各个组成部分别给出它们的....

青岛佳恩半导体有限公司发表于12-01 09:12 •1182次阅读

为什么IGBT会发生退饱和现象？

这是某产品输出特性曲线，可以看到IGBT工作区分为三个部分。

青岛佳恩半导体有限公司发表于11-03 08:53 •2564次阅读

温度变化对模块寿命有何影响？

所有功率模块内部的热循环变化都会导致模块老化。原因是使用材料的热膨胀性不同，所以它们之间热应力是连接....

青岛佳恩半导体有限公司发表于10-27 11:38 •480次阅读

IGBT模块机械构造相关的电气特性参数

IGBT模块参数详解-模块整体参数该部分描述与IGBT模块机械构造相关的电气特性参数，包括绝缘....

青岛佳恩半导体有限公司发表于09-08 08:58 •2310次阅读

igbt模块的作用 igbt模块内部结构图

IGBT模块内部杂散电感的定义 IGBT半桥逆变电路工作原理以及当IGBT1开通关断时的电压电....

青岛佳恩半导体有限公司发表于08-18 09:08 •2990次阅读

哪些场景只能用三极管而不能用MOSFET

开关速度：当需要高速开关时，三极管是更好的选择。例如，在瞬态电路中，需要快速切换的信号通常需要使用三....

青岛佳恩半导体有限公司发表于05-19 14:02 •371次阅读

IGBT半导体与MOS管、三极管的区别

我们就从常见的开关说起，这边给他接一个电源，右边接一个负载，然后不停的开关这个开关，那么这个负载上的....

青岛佳恩半导体有限公司发表于03-31 11:03 •1696次阅读

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