摘 要 :随着绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术的发展,目前主流的场截止型结构越来越接近其理论极限。 超结被誉为“功率 MOS 的里程碑”,近年来也被引入 IGBT 以进一步提升器件性能。超结 IGBT 结合了场截止 型 IGBT 和超结结构的优点,可在更短漂移区长度下实现高耐压和低损耗。然而,作为一种双极型器件,超结 IGBT 具有与超结 MOSFET不同的工作原理。文章从超结原理出发,揭示了超结 IGBT 的结构特点和工作原理, 并对超结 IGBT 的最新研究进展进行了梳理和概括。
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