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国内模拟芯片加速整合并购,呼唤模拟巨头的出现

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)近来国内模拟芯片厂商的并购事件引起广泛的关注。在科创板八条将推出的背景下,业界对于国内模拟企业通过整合并购做大做强的预期越来越强烈。  收购一...

标签:并购模拟芯片科创板纳芯微思瑞浦2024-06-302095

意法半导体推出高性能低功耗TSB952双运算放大器

在电子元件领域,意法半导体再次展现其创新实力,近日隆重推出了全新的TSB952双运算放大器(运放),为行业带来了一场性能与功耗优化的革命。这款精心设计的运放不仅拥有令人瞩目的52...

2024-07-03标签:

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增芯科技12英寸晶圆制造项目投产启动,内含国内首条12英寸MEMS智能传感器晶圆

| 项目一期产能预计2025年底达到2万片/月 2024年6月28日,增芯科技12英寸晶圆制造项目在广州增城投产启动,该项目建设有国内首条、全球第二条的12英寸MEMS智能传感器晶圆制造产线。同期举办...

2024-07-02标签:传感器mems晶圆智能传感器113

泰凌微电子喜迁新址,开启企业发展新篇章

乔迁新址 在这充满活力的夏日,泰凌迎来了公司发展史上的新里程碑。泰凌荣幸地宣布,随着今日的乔迁,泰凌已正式入驻位于上海市浦东新区张江高科技园区盛夏路61弄1号电梯楼层11层的新办...

2024-07-01标签:76

今日看点丨台积电3纳米助攻 Google自研手机芯片进入流片阶段;传丰田寻求在上

1. 台积电3 纳米助攻 Google 自研手机芯片进入流片阶段  据报道,Google搭载于Pixel 10系列手机的Tensor G5芯片进入Tape-out(流片)阶段。Tensor G5是Google首款完全自主设计的手机芯片。此前四代Tenso...

标签:电动汽车台积电Google手机芯片丰田2024-07-01401

TMC2024丨车规级功率半导体论坛剧透二丨全球技术趋势与主驱功率半导体应用创新

TMC2024丨车规级功率半导体论坛剧透二丨全球技术趋势与主驱功率半导体应用创

聚焦车规级功率半导体与应用技术创新及发展趋势 21+创新技术与战略报告 15+车规级SiC相关企业产品展示 1场高层闭门会  随着新能源汽车快速发展,应用于主驱逆变器的功率半导体竞争愈演愈...

2024-06-26标签:功率半导体161

高云FPGA在工业以太网和数学算法的应用及FPGA与Matlab的联合仿真

高云FPGA在工业以太网和数学算法的应用及FPGA与Matlab的联合仿真

6月20-21日,第七届西安交通大学电力电子与工业自动化学术年会(PEREC 2024)在中国西部科技创新港成功举办。本次大会由西安交通大学电气工程学院电子电力与新能源研究中心主办,国内外行...

2024-06-25标签:FPGA107

学员笔记:什么是源阻抗?失调电流与源阻抗分析

学员笔记:什么是源阻抗?失调电流与源阻抗分析

源阻抗理论来说需要越小越好,输入失调电流也是越小越好,因为当有源阻抗存在时,默认源阻抗输入侧为接地,然后输入偏置电流和源阻抗电阻相乘就得到一个净输入电压,输入的两端相减就...

2024-06-20标签:阻抗输入失调电流阻抗453

思瑞浦发布高性能ADC TPC502200,支持I2C接口

近日,半导体领域的佼佼者思瑞浦3PEAK宣布推出全新产品TPC502200,这是一款支持I2C接口的12位8通道SAR ADC(逐次逼近型模数转换器)。这款产品的问世,再次证明了思瑞浦在高性能模拟芯片和嵌入...

2024-06-18标签:adc模数转换器思瑞浦526

今日看点丨消息称华为将推北斗卫星消息 / 星闪协议“大平板”;鸿海再夺英伟

1. 消息称华为麒麟芯片持续放量,将推北斗卫星消息 / 星闪协议“大平板”及两波“5G 迭代新机”  博主 @数码闲聊站透露华为公司正持续放量麒麟芯片,据称接下来将推出一款支持北斗卫星消...

标签:华为鸿海交换器北斗英伟达星闪交换器北斗华为星闪英伟达鸿海2024-06-181047

江苏润石发布电平转换器运算放大器等12颗车轨级模拟芯片

   日前江苏润石再度新增12颗通过AEC-Q100 Grade1,满足MSL 1湿敏等级认证的车规级芯片。截止目前,润石科技总计有70颗Grade1&  MSL1的车规级芯片通过认证并进入量产。凭借卓越的产品技术指标和...

标签:运算放大器电平转换器模拟芯片江苏润石2024-06-181033

KOWIN存储芯璀璨亮相南京国际半导体大会

KOWIN存储芯璀璨亮相南京国际半导体大会

2024世界半导体大会暨南京国际半导体博览会于6月5-7日在南京国际博览中心4号馆举办,现场云集300+家行业领军企业,开展EDA/IP核产业发展高峰论坛、2024人工智能创新应用国际峰会、半导体智能...

2024-06-12标签:132

三菱电机发布新型低电流SiC-MOSFET模块

三菱电机集团近日宣布推出两款新型低电流版本的肖特基势垒二极管(SBD)嵌入式SiC-MOSFET模块,以满足大型工业设备市场对高性能逆变器日益增长的需求。这两款新模块分别是3.3kV/400A和3.3kV/...

2024-06-12标签:MOSFET三菱电机SiC475

安森美发布高功率密度IGBT模块,助力能源系统优化

在智能电源和感知技术领域,美国纳斯达克上市的安森美公司(onsemi,股票代码:ON)再次展现其技术实力。近日,该公司正式发布了第7代1200VQDual3绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块,标志着电...

2024-06-12标签:安森美IGBT功率模块447

纳微半导体发布第三代快速碳化硅MOSFETs

纳微半导体作为GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体的行业领军者,近日正式推出了其最新研发的第三代快速(G3F)碳化硅MOSFETs产品系列,包括650V和1200V两大规格。...

2024-06-11标签:功率半导体碳化硅纳微半导体593

思瑞浦推出TPA267x系列运算放大器

半导体行业的领军者思瑞浦3PEAK近日正式发布了一款高性能运算放大器系列——TPA267x。这款新型运算放大器以其出色的性能参数,再次彰显了思瑞浦在模拟芯片和嵌入式处理器领域的创新实力。...

2024-06-11标签:半导体运算放大器思瑞浦505

从原理到应用,800字搞定达林顿晶体管电路

从原理到应用,800字搞定达林顿晶体管电路

达林顿晶体管是一种由两个晶体管(BJT)组成的复合器件,它们以一种特殊的方式连接,以实现更高的电流增益。达林顿晶体管通常用于需要高电流增益和高输入阻抗的场合,例如开关电路和放...

标签:

2024-06-111366

思瑞浦解读高PSRR、高压运算放大器TPA267x典型应用与产品特性

思瑞浦解读高PSRR、高压运算放大器TPA267x典型应用与产品特性

TPA267x系列产品带宽10MHz,压摆率达到15V/μs,产品在100KHz电源干扰下抑制比达到了80dB,降低了客户在电源上的设计成本,广泛适用于工业自动化、光伏储能、电机驱动器和音频设备等领域。...

2024-06-07标签:运算放大器PSRR思瑞浦871

思瑞浦发布高性能运算放大器TPA267x系列

近日,专注于高性能模拟芯片和嵌入式处理器的半导体供应商思瑞浦3PEAK,全新推出了TPA267x系列运算放大器。这一系列放大器以其高电源抑制比(PSRR)、高带宽以及高压特性,成为行业内的新...

2024-06-07标签:半导体运算放大器思瑞浦490

用三极管搭建一个优化交叉失真的B类功放电路,附带仿真实例分析

用三极管搭建一个优化交叉失真的B类功放电路,附带仿真实例分析

推挽放大器是一种功率放大器,用于向负载提供高功率。它由两个晶体管组成,一个是NPN,另一个是PNP。一个晶体管在正半周期推动输出,另一个晶体管在负半周期拉动输出,这就是为什么它被...

标签:三极管功放电路仿真三极管仿真功放电路推挽放大器2024-06-11975

提供稳定时钟同步的低抖动差分晶振

电子发烧友网报道(文/李宁远)晶振,是电子设备中的关键器件,电子设备各个模块想要同步工作需要晶振提供的稳定时钟信号。除了提供稳定的时钟信号,晶振在生成各种频率的信号以及在...

2024-06-06标签:晶振时钟差分晶振2097

各类常用混频器的高层次设计和优缺点

各类常用混频器的高层次设计和优缺点

在RF和微波设计中,混频是信号链最关键的部分之一。过去,很多应用都受制于混频器的性能。混频器的频率范围、转换损耗和线性度,决定了混频器能否用于特定应用。频率高于30 GHz的设计很...

标签:RFRF噪声系数混频器频率转换器2024-06-04945

东芝半导体扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线

东芝半导体扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线

通信基站是现代通信系统中的重要组成部分,数据中心也和网络通讯一样逐渐成为现代社会基础设施的一部分,对很多产业都产生了积极影响。...

标签:MOSFET开关电源电机控制SOP封装东芝半导体2024-05-29455

SiC MOSFET:通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法

SiC MOSFET:通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法

首先,计算开通和关断时间内消耗的功率损耗Pton和Ptoff。波形使用图1中的示例波形。功率损耗使用表1中的近似公式来计算。由于计算公式会因波形的形状而有所不同,因此请选择接近测得波形...

标签:MOSFET导通电阻SiCMOSFETSiCVDS导通电阻2024-05-29492

MOS集成电路防止静电干扰方法详解

MOS(金属氧化物半导体)集成电路由于其高集成度和敏感的氧化层结构,对静电放电(ESD)非常敏感。...

2024-05-28标签:集成电路ESD静电放电MOS523

R25型硅基微波双极型晶体管的特点及参数有哪些

R25型硅基微波双极型晶体管的特点及参数有哪些

R25 型硅基微波双极型晶体管是一种常见的晶体管,主要用于高频电子放大线路中。...

2024-05-28标签:放大器变频器晶体管409

碳化硅器件的基本特性都有哪些?

碳化硅(SiliconCarbide,SiC)器件作为第三代半导体材料的重要代表,近年来在电子器件领域中备受关注。...

2024-05-27标签:集成电路半导体SiC碳化硅577

光纤转换器的定义和使用方法

光纤转换器,也称为光纤收发器或光纤交换机,是一种将电信号转换为光信号或将光信号转换回电信号的设备。...

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2024-05-23555

DC/DC转换器的输出电容和输出电压稳定性验证

DC/DC转换器的输出电容和输出电压稳定性验证

在 DC/DC 转换器的电路设计中,可能需要根据微控制器或 FPGA 的规格来改善负载响应。在这种情况下,很多人认为改善负载响应特性的最简单方法是增加输出电容器的电容。...

标签:微控制器电容器输出电压dcdc转换器相位补偿2024-05-23982

Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器

Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)。...

标签:MOSFETIGBTSiCLittelfuse栅极驱动器2024-05-23518