MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。
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我国的存内计算产业也开始迅猛发展,知存科技、九天睿芯、智芯科、后摩智能、苹芯科技等国内专注存内计算赛道的新兴公司纷纷获得融资,加速在该领域的早期市场布局...2024-05-17标签:6250
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MRAM是以磁性隧道结(MTJ)储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层,和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同...2024-02-19标签:7990
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MRAM或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的1晶体管–1磁性隧道结(1T-1MTJ)体系结构作为数据存储元素。2024-01-09标签:5600
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“与MRAM相比,ReRAM有两个主要优势——工艺简单和更宽的读取窗口,”的内存技术专家Jongsin Yun说西门子EDA。“MRAM需要10层以上的...2023-11-22标签:4950
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在当前我们比较熟悉的存储产品就是DRAM和NAND,DRAM和NAND也一直在寻求高带宽和低功耗的发展。2023-10-07标签:24720
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数据存储技术的发展,可以说是一段漫长而又充满神奇色彩的历程,承载着人类智慧与技术创新。从最早的打孔卡开始,它逐渐经历了磁存储、硬盘、闪存,以及现在的云存...2023-09-22标签:22840
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闪存存算方面,目前主要路线是基于NOR flash(不是目前优盘所用的闪存类型),多数情况下存储容量较小,这使得NOR flash单片算力达到1 TOP...2023-09-06标签:5350
NVM,即Non-Volatile Memory,非易失性存储器。
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瑞萨电子公司日前宣布,该公司已开发出用于嵌入式自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)的电路技术,以下简称MRAM)具有快速读写操作的测试芯片。
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