HEMT

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hemt技术

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  改善GaN HEMT功率器件的短路耐受时间
  在本文中，我们将讨论氮化镓 (GaN) HEMT 功率器件中的一个关键参数，即短路耐受时间 (SCWT)。
  2024-05-09
  标签：
  功率器件
  GaN
  HEMT
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  GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法
  氮化镓具有许多内在材料优势，如宽能隙和高电子迁移率。当用作横向高电子迁移率晶体管(HEMT)器件时，这些特性可用于获得功率转换性能优势，因为其无反向恢复...
  2024-04-18
  标签：
  氮化镓
  GaN
  HEMT
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  微波GaN HEMT 技术面临的挑战
  报告内容包含： 微带WBG MMIC工艺 GaN HEMT 结构的生长 GaN HEMT 技术面临的挑战
  2023-12-14
  标签：
  微波
  GaN
  HEMT
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  氮化镓器件介绍与仿真
  本推文简述氮化镓器件，主要包括GaN HEMT和二极管，帮助读者了解Sentaurus TCAD仿真氮化镓器件的相关内容。
  2023-11-27
  标签：
  二极管
  仿真
  氮化镓
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  深入了解 GaN 技术
  深入了解 GaN 技术
  2023-12-06
  标签：
  栅极
  氮化镓
  GaN
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  GaN HEMT器件结构解析
  硅材料的功率半导体器件已被广泛应用于大功率开关中，如电源、电机控制、工厂自动化以及部分汽车电子器件。这些硅材料功率半导体器件都着重于减少功率损耗。在这些...
  2023-11-09
  标签：
  集成电路
  氮化镓
  功率半导体
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  GaN单晶衬底显著改善HEMT器件电流崩塌效应
  由于GaN和AlGaN材料中拥有较强的极化效应，AlGaN/GaN异质结无需进行调制掺杂就能在界面处形成高浓度的二维电子气(2DEG)，在此基础上发展而...
  2023-06-14
  标签：
  晶体管
  GaN
  HEMT
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  GaN HEMT工艺全流程
  GaN HEMT（高电子迁移率晶体管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半导体，具有低工作电阻和高抗损性，...
  2023-05-25
  标签：
  半导体
  晶体管
  GaN
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  基于AlN单晶衬底的AlGaN沟道型MOSHFET最新进展
  近期，美国南卡罗来纳大学报道了在AlN单晶衬底上通过MOCVD生长的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金属氧化物半导体异质结场效应晶...
  2023-05-25
  标签：
  半导体
  充电器
  晶体管
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  GaN HEMT大信号模型
  GaN HEMT 为功率放大器设计者提供了对 LDMOS、GaAs 和 SiC 技术的许多改进。更有利的特性包括高电压操作、高击穿电压、功率密度高达 8...
  2023-05-24
  标签：
  功率放大器
  GaN
  HEMT
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hemt资讯

使用GaN HEMT设备最大化OBCs的功率密度

随着电动汽车（EVs）的销售量增长，整车OBC（车载充电器）的性能要求日益提高。原始设备制造商正在寻求最小化这些组件的尺寸和重量以提高车辆续航里程。因此...

2023-12-17标签：电动汽车GaNHEMT6920

GaN HEMT为什么不能做成低压器件

GaN HEMT为什么不能做成低压器件  GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）是一种迅速崭露头角的高频功率器件，具有很高的电子迁移率、大的电子饱...

2023-12-07标签：晶体管GaNHEMT4910

利用 HEMT 和 PHEMT 改善无线通信电路中的增益、速度和噪声

利用 HEMT 和 PHEMT 改善无线通信电路中的增益、速度和噪声

2023-12-07标签：无线通信晶体管HEMT3930

CGD与群光电能科技和剑桥大学技术服务部共同组建GaN生态系统

拥有系统和应用、研究和设备方面的专业知识，可生产创新、高性能的基于 GaN 的笔记本电脑和数据中心电源产品  英国剑桥 - Cambridge GaN...

2023-11-06标签：smpsGaNHEMT4110

AlGaN/GaN结构的氧基数字蚀刻

宽带隙GaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)和场效应晶体管(fet)能够提供比传统Si基高功率器件更高的击穿电压和电子迁移率。常关GaN非常需要HEM...

2023-10-10标签：蚀刻GaNHEMT4140

CGD 将首次亮相中国 PCIM Asia（上海国际电力元件、可再生能源管理展览会），推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列

诚邀您于 8 月 29 至 31 日莅临上海新国际博览中心参观 2G18 展位 英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是...

2023-08-09标签：氮化镓HEMT3210

CGD 与高品质服务领航者 DigiKey 达成全球分销协议

为建立 GaN 生态系统造福全球工程师迈出重要一步 英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公...

2023-06-30标签：氮化镓CGDHEMT4610

ROHM具有业界高性能的650V耐压GaN HEMT

全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride：氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z...

2023-05-18标签：GaNHEMTRohm5400

Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同类产品中拥有出色的稳健性、易用性和高效率

英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造...

2023-05-15标签：MOSFETGaNHEMT9870

Cambridge GaN Devices 在 2023 年 APEC 大会上展示电力电子装置的可持续未来

3 月 19 日星期日至 3 月 23 日星期四，佛罗里达州奥兰多橘郡会议中心 【2023年3月13日，英国剑桥讯】Cambridge GaN Devi...

2023-03-14标签：电源氮化镓HEMT9530

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