制造新闻
使用单一晶圆加工工具蚀刻晶圆背面薄膜的方法
引言 随着半导体技术的发展，为了在有限的面积内 形成很多器件，技术正在向多层结构发展。要想形成多层结构，会形成比现有更多的薄膜层 ,这时晶片背面也会堆积膜。目前，在桔叶式设备...
开年专访谷泰微创始人兼CEO石方敏：2022本土IC要迎“大考”
随着全球数字化转型加速以及AIOT、智能汽车市场爆发，全球集成电路市场规模加速增长，预计2021年全球集成电路市场将增长到5700亿美元，未来5年将更增长到1万亿美元的规模！...
Nano Dimension宣布收购Essemtec AG
-Essemtec AG是一家为印刷电路板和原始设备制造商行业提供表面贴装取放系统的供应商 -本次收购有助于为以下方面的突破性进展奠定基础：作为增材制造电子产品解决方案一部分的微芯片放置方...
SiO2在氢氟酸中的刻蚀机理
摘要 研究了高频和高频/HCI溶液中的不同平衡点，并研究了SiQ的蚀刻反应作为高频溶液中不同物种的函数。基于HF二聚体的存在，建立了一种新的SiO~蚀刻机制模型， SiQ在高频溶液中的溶解是在集...
异丙醇(IPA)的解吸特性和IPA蒸汽干燥硅晶片中的水分
引言 为了评估用各种程序清洗和干燥的晶圆表面的清洁度，我们通过高灵敏度的大气压电离质谱(APIMS)成功地分析了这些晶圆表面的排气量。特别是，通过将晶片表面的解吸气体引入APIMS，研究...
2021第三代半导体产教融合发展论坛成功举办
由第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）主办、泰克科技（中国）有限公司和北京博电新力电气股份有限公司协办的“2021 第三代半导体标准与检测研讨会”在深圳召开。...
化学蚀刻的铜-ETP铜的实验分析
引言 化学蚀刻是通过与强化学溶液接触来控制工件材料的溶解。该过程可以应用于任何材料。铜是利用化学腐蚀工艺制造微电子元件、微工程结构和精密零件中广泛使用的工程材料之一。在这...
Cu CMP后清洗中添加剂对颗粒粘附和去除的影响
引言 Cu作为深度亚微米的多电级器件材料，由于其电阻低、电迁移电阻高和电容降低，与铝相比的时间延迟。本文从理论和实验上研究了柠檬酸基铜化学机械平坦化后二氧化硅颗粒对铜膜的粘附...
紫外荧光在晶圆表面清洁分析中的应用
引言 紫外荧光(UVF)是一种新颖而通用的检测硅片表面金属杂质污染的方法。我们证明了UVF在硅片加工中污染控制的有效性。实验显示了室温下铁、铜、镍、钠等主要特征峰。与其他表面敏感技术...
南安芯谷入驻项目集中签约仪式暨产业服务专题发布成功举办
12月25日，由南安市石井镇党委、政府，泉州芯谷南安分园区办事处和联东U谷联合主办的“芯动南安 成功石井”南安芯谷入驻项目集中签约仪式暨产业服务专题发布会在南安市石井镇成功举办。...
半导体工艺之介电蚀刻工艺中等离子体的蚀刻处理
摘要 本文主要研究了从接触刻蚀、沟槽刻蚀到一体刻蚀的介质刻蚀工艺中的刻蚀后处理。优化正电子发射断层扫描步骤，不仅可以有效地去除蚀刻过程中在接触通孔的侧壁底部形成的副产物，...
《华林科纳-半导体工艺》化学品对硅片上金属污染的影响
摘要 对实自不同供应商的化学5进行了清法后残自在理最片上的全属污染水平的测试。在江省过在中，评估了来自三个供应商的盐整机复氧化镇以及来自四个供应母的讨氧化复，在RCA标准济夜市...
氢氟酸水溶液中离子辐照LiNbO3的蚀刻
引言 用多能氩离子辐照x射线切割铌酸锂单晶，产生厚度为400纳米的均匀损伤表面层，研究其在HF水溶液中的腐蚀行为。使用不同的酸温度和浓度，表明可以通过将温度从24℃提高到55℃来提高蚀...
半导体单晶片旋转清洗器中涡流的周期性结构
引言 近年来，随着集成电路的微细化，半导体制造的清洗方式从被称为“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐渐改变为“单张式”的晶片一次清洗的方式。在半导体的制造中，各工序之间进行...
氮化硅陶瓷在氢氟酸水溶液中的水热分解行为
引言 精细陶瓷由于其优越的机械性能和功能性能，在过去的二十年中得到了发展。最近，从环境和经济的角度来看，希望开发具有较低能量的制造工艺，因为生产精细陶瓷需要相当大的能量。...
在HF水溶液中处理的GaP表面的特性
引言 椭偏光谱(SE)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)、润湿性和光致发光(PL)测量研究了HF水 溶液中化学清洗的GaP(OOl)表面。SE数据清楚地表明，溶液在浸入样品后(W1分钟)会立即去除自然...
中科驭数宣布完成数亿元A+轮融资 第二代DPU芯片完成研发设计
中科驭数正在研发的第二代DPU芯片K2已经完成设计和验证工作，预计将于2022年第一季度投产流片。...
RISC-V架构国产芯片再迎超强玩家
12月17日，首届滴水湖中国RISC-V产业论坛在上海临港滴水湖皇冠假日酒店举行，来自全国各地的RISC-V“玩家”汇聚于此，共同探讨推动国产RISC-V芯片快速产业化落地和应用创新的可能。RISC-V自面...
SC-1颗粒去除和piranha后漂洗的机理研究
SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清洁剂已经使用多年来去除颗粒和有机污染物。尽管SC-1清洁剂(通常与施加的兆频超声波功率一起使用)被认为对颗粒去除非常有效，但去除机制仍不清楚。对于去，除重有机...
