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Ti60F100 内外flash操作方案

XL FPGA技术交流•来源：XL FPGA技术交流•作者：XL FPGA技术交流•2024-05-20 16:42•586次阅读

有客户认为Ti60F100内部flash容量比较小，只有16Mb，需要外挂flash.这里我们提供了内部flash和外部flash分别操作的方案。

该程序是通过SOC操作4线的外部flash和内部flash.程序先经过外部flash的擦除，写入和读出操作，再经过外部flash的擦除，写入和读出操作，每次读出后会进行数据的比较以判断写入和读出的数据是否一致。

硬件方案如下：

66ec3f9c-05c1-11ef-b759-92fbcf53809c.jpg

由于使用的RSICV是softjtag操作，所以使用了两个下载器。在硬件设计外外挂一片64Mb的flash。

66f8e99a-05c1-11ef-b759-92fbcf53809c.png

外部flash管脚分配

flash管脚
FPGA name
flash管脚
Flash_cs_n
A4
GPIOT_P_01
CS#
Flash_cck
J2
GPIOL_N_01_CCK
SCLK
Flash_cdi0
H2
GPIOL_P_03_CDI0
SI
Flash_cdi1
H1
GPIOL_N_03_CDI1
SO
Flash_cdi2
G4
GPIOL_P_05
WP#
Flash_cdi3
G3
GPIOL_N_05
HOLD#RESET#

IO的连接方案如下：

内flash与外部flash除片选信号分开外，对于4线flash，IO[3:2]是分开的，其余信号都是共用。SOC操作flash时，我们通过一个GPIO来控制flash的选择

66feae34-05c1-11ef-b759-92fbcf53809c.png

可能会有人有疑问为什么内外flash的管脚能够共用呢？因为内部flash的管脚也拉到GPIO上面的原因。如下图SSL_N,CCK，CDI0,1和都是与内部flash相通的。

6706ed10-05c1-11ef-b759-92fbcf53809c.png

外部flash的data2,data3及cs_n的接口配置。

IO
Configure
ext_flash_cs_n
ext_flash_data2
Ext_flash_data3
Mode
outout
inout
Inout
I/O Standard
1.8V lvcmos
1.8V lvcmos
1.8V lvcmos
IN
OUT
OE
IN
OUT
OE
Connection Type
normal
normal
-
-
normal
-
-
Register Option
register
register
register
register
Register
Register
register
Clock Pin Name
soc_clk
soc_clk
soc_clk
soc_clk
Soc_clk
soc_clk
Soc_clk
Pull Option
Weak pullup
None
-
-
None
-
Drive Strenght
12mA
-
4mA
-
-
4mA
-
Enable Fast Slew Rate
-
-
-
-
-
-
-
IO
GPIOT_P_01
GPIOL_P_05
GPIOL_N_05

添加SPI flash block，如下图，使能Enable Register Interface, Read/Write Width设置为4。

67271b12-05c1-11ef-b759-92fbcf53809c.png

FPGA通过GPIO来控制操作内部与外部flash,如下图，通过gpio_0来控制选择内部flash还外部flash,int_flash_select为高,表示选择内部flash，为低则选择外部flash。

672e991e-05c1-11ef-b759-92fbcf53809c.png

调试

程序经过擦除-->写入-->读出操作后，内存0x20000的数据为下图所示。

67401b94-05c1-11ef-b759-92fbcf53809c.png

程序经过擦除-->写入-->读出操作后，内存0x20000的数据为下图所示。

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