利用业余时间,研究出来的移相控制技术,若有不对的地方,还请大家指出。
可控硅移相控制交流电原理:
工作原理:我们知道220V市电的频率是50HZ,周期就是20ms,上下半波各占10ms,所以我们想对交流电进行控制的话,
在交流电每次过零点的时候,在0-10ms之间内做个延时,比如在交流每次过零点后延时3ms,3ms后触发可控硅的导通就行。
改变延时的时间即可改变负载得到的电压大小。
本电路有2种触发方式,一种利用RC充放电实现的控制,这种控制是使可控硅工作在2、3象限。另外一种是利用MOC3021实现控制,使可控硅工作在1、3象限。
单片机最好选用外部中断带上下沿同时触发中断功能的单片机。以配合过零检测电路使用。当然只有选择只带下降沿的也行,但是程序要写好。
本程序无需更改,均适用这2个触发控制电路
电路原理图:
过零检测波形:
Altium Designer画的原理图如下:(51hei附件中可下载工程文件)
单片机驱动可控硅(带过零检测)源程序如下:
STC15W408AS外部中断上下沿均可测试
所有资料51hei提供下载(详细教程与源码还附带一些网上搜集的相关资料方便大家):
可控硅移相控制原理.zip(614.76 KB, 下载次数: 926)
可控硅移相控制交流电原理:
工作原理:我们知道220V市电的频率是50HZ,周期就是20ms,上下半波各占10ms,所以我们想对交流电进行控制的话,
在交流电每次过零点的时候,在0-10ms之间内做个延时,比如在交流每次过零点后延时3ms,3ms后触发可控硅的导通就行。
改变延时的时间即可改变负载得到的电压大小。
本电路有2种触发方式,一种利用RC充放电实现的控制,这种控制是使可控硅工作在2、3象限。另外一种是利用MOC3021实现控制,使可控硅工作在1、3象限。
单片机最好选用外部中断带上下沿同时触发中断功能的单片机。以配合过零检测电路使用。当然只有选择只带下降沿的也行,但是程序要写好。
本程序无需更改,均适用这2个触发控制电路
电路原理图:
过零检测波形:
Altium Designer画的原理图如下:(51hei附件中可下载工程文件)
单片机驱动可控硅(带过零检测)源程序如下:
STC15W408AS外部中断上下沿均可测试
所有资料51hei提供下载(详细教程与源码还附带一些网上搜集的相关资料方便大家):
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一如即往,对文字部分有兴趣,但电路问题很多,
1、移相部分高压、低压没有隔离;
2、触发部分不相信在某象限可以高压、低压不隔离;
精神可嘉,做为研究可以,但单片机+可控硅,有点复杂化。原以为是ABC三相移相。
1、移相部分高压、低压没有隔离;
2、触发部分不相信在某象限可以高压、低压不隔离;
精神可嘉,做为研究可以,但单片机+可控硅,有点复杂化。原以为是ABC三相移相。