NTLJF4156NT1G
浏览次数:740次更新时间:2023-02-06 11:41
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NTLJF4156NT1G中文资料规格参数
NTLJF4156NT1G概述
二极管30 V,4.6 A,N沟道,带2.0 A肖特基势垒,2x2 mm WDFN封装
NTLJF4156NT1G参数
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:-
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:二极管(隔离式)
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25℃:70 毫欧 @ 2A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25℃:2.5A
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:6.5nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :427pF @ 15V
功率 - 最大:710mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-VDFN
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:6-TDFN
其它名称:NTLJF4156NT1G-NDNTLJF4156NT1GOSTR
特性
WDFN封装提供外露排水垫,实现卓越的热传导
共封装MOSFET和肖特基,便于电路布局
RDS(开启)额定电压为低VGS(开启)电平,VGS=1.5 V
薄型(<0.8 mm),便于在薄环境中安装
低VF肖特基
这是一个无铅设备
NTLJF4156NT1G引脚图
供应商 |
数量 |
厂商 |
批号 |
封装 |
交易说明 |
仓库 |
|
---|---|---|---|---|---|---|---|
17633 |
ONSEMI/安森美 |
22+ |
WDFN-6 |
原装假一赔十合作共赢 |
深圳 |
||
2382 |
ONSEMI/安森美 |
1237+ |
WDFN-6 |
绝对进口原装现货热卖 |
|||
1021 |
ONSEMI/安森美 |
12+1328+ |
WDFN-6 |
原装现货/假一罚十 |
深圳 |
||
1620 |
ONSEMI/安森美 |
现货保证原装假一赔百 |
深圳 |
||||
9000 |
ONSEMI/安森美 |
22+ |
百分百原装 |
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