肖特基二极管（SBD）是一种采用半导体和金属（比如：钼）结合，而不是采用pn结的器件。一般来说，金属与n型层结合的半导体已经实现了商业化。由于其正向电压小，反向恢复时间短，所以适合于高速开关应用。

对于SBD而言，正向电压（VF）和反向泄漏电流之间存在折衷关系。

根据所使用的金属，通常来说反向耐受电压约为20至150V，VF约为0.4至0.7V，低于pn结二极管的值。

具有低正向电压和低泄漏电流的新型结构的SBD也已经实现商业化。

（东芝采用沟槽结构的SBD，实现了低VF和低泄漏电流的特性。）

图2-9（a）肖特基二极管的符号与结构

图2-9（b）肖特基二极管的电特性

文章转载自：东芝半导体

审核编辑：汤梓红

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