SiC应用优势
在系统设计中可以简化散热系统,降低热预算,同时减小电容电感体积,从而降低系统综合成本。
在电动汽车中采用SiC器件,续航里程相比采用硅基功率器件的车型提升5%-10%。
SiC 的耐高压能力是硅的 10倍、耐高温能力是硅 的 2倍、高频能力是硅的 2倍。
与硅基模块相比,碳化硅二极管及开关管组成的模 块(全碳模块),不仅具有碳化硅材料本征特性优 势,在应用时还可以缩小模块体积50%以上、消减 电子转换损耗80%以上。
碳化硅基 MOSFET在相同环境下,对比同规格硅基 IGBT的能量损失减少66%,主要来自于开关损耗的 大幅减少。相同规格的碳化硅基 MOSFET 与硅基 MOSFET 相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10, 导通电阻可至少降低至原来的 1/100。
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