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碳化硅(SiC)是一种具有优异物理特性的半导体材料,其高电子饱和迁移率、高热导率、高击穿场强和高电子饱和迁移率等特点使其在功率器件领域具有广泛的应用前景。
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改进JBS结构以降低泄漏电流和提高浪涌电流能力2023-11-23标签:5590
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SiC SBD的高耐压(反压)特性2023-12-13标签:3430
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【科普小贴士】什么是肖特基势垒二极管(SBD)?2023-12-13标签:8890
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【科普小贴士】肖特基势垒二极管(SBD)的反向恢复特性2023-12-13标签:4450
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SWAP(交换)分区是一种通过在硬盘中预先划分一定的空间,然后将把内存中暂时不常用的数据临时存放到硬盘中2023-11-14标签:7960
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二极管通常是由PN结加上电极引线和外壳制成的, **基本特性是单向导电性** 。2023-10-25标签:50240
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IGBT分立器件一般由IGBT和续流二极管(FWD)构成,续流二极管按材料可分为硅材料和碳化硅材料,按照器件结构可分为PIN二极管和肖特基势垒二极管(S...2023-09-22标签:3030
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肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。...2023-07-27标签:25550
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3月4日,北京顺义消息显示,顺义区21个在建市区重点产业项目全部复工复产,其中包括泰科天润建设公司总部、研发中心及8英寸SiC功率器件生产基地项目。
来源:Silicon Semiconductor 非常适合汽车LED头灯和其他高速开关应用。 ROHM(罗姆)开发了100V击穿肖特基势垒二极管 (SB...
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全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr*1超快的100V耐压肖特基势垒...2024-01-24标签:3380
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碳化硅具有高热导率、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、良好的耐辐射性和化学稳定性、GaN的近晶格常数和热膨胀系数等优势。2023-12-18标签:9670
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功率密度的提高及器件小型化等因素使热量的及时导出成为保证功率器件性能及可靠性的关键。2023-12-13标签:5630
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【科普小贴士】肖特基势垒二极管(SBD)的金属差异2023-12-13标签:3770
ROHM | SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列
全球知名半导体制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex...
肖特基二极管失效机理 肖特基二极管(Schottky Barrier Diode, SBD)作为一种快速开关元件,在电子设备中得到了广泛的应用。但是,...
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