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型号参数
- 型号:RF103L2STE25
- Rohm Semiconductor
- DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
- 剪切带(CT): ¥3.46000,卷带(TR): ¥1.06445
- 系列: -
- 产品状态: 在售
- 二极管类型: 标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V
- 电流 - 平均整流 (Io): 1A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV @ 1 A
- 速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 反向恢复时间 (trr): 20 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 μA @ 200 V
- 不同?Vr、F 时电容: -
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: DO-214AC,SMA
- 供应商器件封装: PMDS
- 工作温度 - 结: 150°C(最大)
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这里有RF103L2STE25中英文资料规格书PDF技术资料引脚参数图及功能,介绍RF103L2STE25是什么样的芯片。
RF103L2STE25制造商: Rohm Semiconductor 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A PMDSRF103L2STE25库存相关
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