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型号参数
- 型号:BSS192PH6327FTSA1
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
- 剪切带(CT): ¥5.68000,卷带(TR): ¥2.20896
- 产品状态: 在售
- FET 类型: P 通道
- 技术: MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss): 250 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 190mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.8V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 12 欧姆 @ 190mA,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 130μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 6.1 nC @ 10 V
- Vgs(最大值): ±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 104 pF @ 25 V
- FET 功能: -
- 功率耗散(最大值): 1W(Ta)
- 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型: 表面贴装型
- 供应商器件封装: PG-SOT89
- 封装/外壳: TO-243AA
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生产厂家:Infineon Technologies,您想知道BSS192PH6327FTSA1参考价格是多少?参考价:剪切带(CT): ¥5.68000,卷带(TR): ¥2.20896。这里提供今年最近走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BSS192PH6327FTSA1批发价格及采购报价,BSS192PH6327FTSA1销售排行榜F:\liu\ic72ey}}中英文资料 datasheet PDF
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这里有BSS192PH6327FTSA1中英文资料规格书PDF技术资料引脚参数图及功能,介绍BSS192PH6327FTSA1是什么样的芯片。
BSS192PH6327FTSA1制造商: Infineon Technologies 功能描述:MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89BSS192PH6327FTSA1库存相关
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