MOS管作为一种常用的开关元件，具有低导通电阻、高开关速度和低功耗等优点，因此在许多电子设备中广泛应用。然而，在一些特殊情况下，我们需要在MOS管控制电路中加入三极管来实现一些特殊功能。然而，不同于MOS管，三极管在工作过程中会产生较大的热量，因此容易烧坏。接下来，我将详细解释为什么在MOS管开关电路设计中使用三极管容易烧坏，并提供一些解决方案来避免这个问题。让我们一起来探讨吧！

MOS管开关电路在现在电路设计中十分常见。三极管开关电路分为两大类，一类是经典的TTL三极管开关电路，一类是MOS管开关电路。三极管和MOS管作为开关管时，有很多相似之处，也有不同之处，那么在电路设计时，两者之间该如何选择呢？

三极管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N沟道和P沟道的，三极管的三个引脚分别是基极B、集电极C和发射极E，而MOS管的三个引脚分别是栅极G、漏极D和源极S。

对于MOS管，我们在电路设计中都会遇到，那么应该如何设计一个MOS管的开关电路呢？

MOS管开关电路

我们一般会用一个三极管去控制，如下图！

但是这个电路的缺点也是显而易见，由于MOS管有一个寄生的二极管，如果CD5V的滤波电容过大，或者后端有别的电压串进来，会把前端给烧坏！电流路径如下：

如何改善这个问题呢？

有两个方式，一种是在后端串联二极管。

防止后端电压电流串扰的电路

优点，电路简单，BOM成本低！缺点，二极管动态负载电阻大，特别不适合后盾负载变化大的！另外一种，便是后端串联一个同规格的MOS管！

优点，MOS管开通电阻极小，对于后端负载电流变化不敏感。缺点，BOM成本高！

转自8号线攻城狮，经授权转载。

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