湿法清洗过程中的颗粒沉积和去除研究
摘要 溶液中晶片表面的颗粒沉积。然而，粒子沉积和清除机制液体。在高离子中观察到最大的粒子沉积:本文将讨论粒子沉积的机理酸性溶液的浓度，并随着溶液pH值的增加而降低，在使用折痕...
2022-06-01 6952
封测企业华进半导体荣获无锡高新区科技创新贡献奖
2022年5月30日，无锡高新区（新吴区）召开全区人才工作暨科技创新大会，华进半导体荣获“2021年度区科技创新贡献奖”、“2021年度区科技创新资金重点奖励企业”，华进半导体总经理孙鹏上台...
2022-05-31 7871
22nm互连的光刻蚀刻后残留去除的挑战和新方法
本文描述了我们华林科纳研究去除金属硬掩模蚀刻后光致抗蚀剂去除和低k蚀刻后残留物去除的关键挑战并概述了一些新的非等离子体为基础的方法。 随着图案尺寸的不断减小，金属硬掩模(MH...
2022-05-31 3310
华进半导体指导项目喜获第二届 “集萃创新杯”二等奖
2022年5月24日，由长三角国家技术创新中心、江苏省产业技术研究院组织开展的“第二届集萃创新杯”活动颁奖典礼顺利召开，华进半导体陈天放、陶煊及北京邮电大学张金玲教授共同指导的“...
2022-05-26 1906
半导体工业中表面处理和预清洗的重要性
半导体工业中表面处理和预清洗的重要性是众所周知的。为了确保良好的薄膜粘附和金属-半导体接触的低电阻，酸或碱处理后的某些溶剂或等离子体清洗对于去除有机残留物和表面氧化物是必...
2022-05-26 1855
KOH和TMAH溶液中凸角蚀刻特性研究
在湿法各向异性蚀刻中，底切凸角的蚀刻轮廓取决于蚀刻剂的类型。已经进行了大量的研究来解释这种凸角底切并确定底切平面的方向。然而，还不清楚为什么不同蚀刻剂会出现不同形状的底切...
2022-05-24 1680
联电新加坡晶圆厂P3开始动工，预计2024年底实现量产
今年3月份，联电曾计划咋新加坡Fab12i厂区新建晶圆厂，共计花费50亿美元，预计将在2024年底实现量产。 日前，联电新加坡的新晶圆厂P3正式开始动工，并且以9.54亿新台币的价格取得了30年的土...
2022-05-24 2317
Cadence分析 3D IC设计如何实现高效的系统级规划
Cadence Integrity 3D-IC 平台是业界首个全面的整体 3D-IC 设计规划、实现和分析平台，以全系统的视角，对芯片的性能、功耗和面积 (PPA) 进行系统驱动的优化，并对 3D-IC 应用的中介层、封装和印刷电...
2022-05-23 4374
等离子体蚀刻和沉积问题的解决方案
我们华林科纳讨论了一些重要的等离子体蚀刻和沉积问题（从有机硅化合物）的问题，特别注意表面条件，以及一些原位表面诊断的例子。由于等离子体介质与精密的表面分析装置不兼容，讲了...
2022-05-19 1736
污染和清洗顺序对碱性纹理化的影响
本文介绍了我们华林科纳研究了污染和清洗顺序对碱性纹理化的影响。硅表面专门暴露在有机和金属污染中，以研究它们对碱性纹理化过程的影响，由此可见，无机污染对金字塔密度的影响不小...
2022-05-18 732
晶片清洗和热处理对硅片直接键合的影响
本实验通过这两种清洗方法进行标识分为四个实验组，进行了清洗实验及室温接合， 以上工艺除热处理工艺外，通过最小化工序内部时间间隔，抑制清洗的基板表面暴露在大气中的灰尘等杂质...
2022-05-16 1106
一种将硅和石英玻璃晶片的键合方法
本文展示了一种使用连续湿法化学表面活化(即SPM→RCAl清洗)结合硅和石英玻璃晶片的键合方法。经过200 ℃的多步后退火，获得了无空洞或微裂纹的牢固结合，基于详细的表面和键合界面表征，...
2022-05-13 2496
详解化学镍沉积技术的沉积过程
本文报道了这种化学镍的形成，包括在100pm以下的模具,通过扫描电镜检查，研究了各种预处理刻蚀过程和锌酸盐活化对最终化学镍碰撞质量的影响，以帮助详细了解活化机理，并确定它们对化学...
2022-05-13 1489
不同清洗方法对纳米颗粒表征的影响
本文介绍了我们华林科纳研究不同清洗方法（离心和透析）对15纳米柠檬酸钠稳定纳米颗粒表面化学和组成的影响，关于透析过程，核磁共振分析表明，经过9个清洗周期后，柠檬酸浓度与第一次...
2022-05-12 970
三种化学溶液在InP光栅衬底清洗的应用
我们华林科纳研究了三种化学溶液，用于在分布反馈激光器应用的InP外延生长之前清洗光栅。这些化学物质是浓缩的HMSO和n< SO，H2 2的混合溶液，其中n =β和...
2022-05-12 1116
使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造（下）
接上回的实验演示 实验演示 非球面的制造包括以下步骤: 1.光刻掩模的设计和图案到沉积在硅晶片上的氧化层的转移； 2.KOH蚀刻以形成金字塔形凹坑； 3.去除氧化物掩模并进一步各向异性蚀...
2022-05-11 758
使用KOH各向异性蚀刻Si的光学器件的单掩模微制造（上）
引言 我们报道了利用KOH水溶液中硅的各向异性腐蚀，用单掩模工艺进行连续非球面光学表面的微加工。使用这种工艺制造了具有几毫米量级的横向尺度和几微米量级的轮廓深度的精确的任意...
2022-05-11 911
使用n型GaSb衬底优化干法和湿法蚀刻工艺
基本化学成分以Cl2为基础，外加用于侧壁钝化的N2。优化的ICP蚀刻工艺能够产生具有光滑侧壁的高纵横比结构。使用670nm波长的激光进行原位反射监测，以高精度在材料界面停止蚀刻。考虑到在...
2022-05-11 1095
5nm及更先进节点上FinFET的未来：使用工艺和电路仿真来预测下一代半导体的性能
虽然栅极间距(GP)和鳍片间距(FP)的微缩持续为FinFET平台带来更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先进节点上，兼顾寄生电容电阻的控制和实现更高的晶体管性能变得更具挑战。 泛林集团在与...
2022-05-07 7214
超声波频率对化学蚀刻过程的影响实验报告
超声增强化学腐蚀被用来制作多孔硅层，通过使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制备多孔硅层，发现超声波改善了p型硅上多孔硅层的结构，用这种方法可以制作品质因数高得多的多孔硅微腔，...
2022-05-06 1103
半导体晶片干燥场非内部和晶片周围的流动特性
本研究利用CFD模拟分析了半导体晶片干燥场非内部和晶片周围的流动特性，并根据分析Case和晶片位置观察了设计因子变化时的速度变化。...
2022-05-06 784
多晶硅蚀刻残留物的的形成机理
为了阐明蚀刻残留物的形成机理，研究了氯/氦-氧、溴化氢/氦-氧和溴化氢/氯等不同气体混合物的影响，我们发现在氧的存在下，蚀刻残留物形成良好，这表明蚀刻残留物是由氧和非挥发性乳化...
2022-05-06 1056
金属蚀刻残留物对对等离子体成分和均匀性的影响
本文研究了金属蚀刻残留物，尤其是钛和钽残留物对等离子体成分和均匀性的影响。通过所谓的漂浮样品的x射线光电子能谱分析来分析室壁，并且通过光发射光谱来监测Cl2、HBr、O2和SF6等离子体...
2022-05-05 813
温度对去除氮化物和氧化物层的影响
本文介绍了在缓冲氧化物腐蚀(BOE)溶液中温度对氮化物和氧化物层腐蚀速率的影响。明确的框架结构和减少的蚀刻时间将提高制造过程的生产率，该方法从图案化氮化硅开始，以研究在BOE工艺之...
2022-05-05 1030
使用晶片处理技术在硅中产生沟槽结构
本文讨论了一种使用容易获得的晶片处理技术在硅中产生沟槽结构的简单技术，通过使用(110)Si的取向相关蚀刻，可能在硅中产生具有垂直侧壁的沟槽，与该技术一起使用的某些溶液的蚀刻各向...
2022-05-05 892
半导体工艺 臭氧化去离子水去除最终抛光晶片上的颗粒
摘要 本研究开发了一种低拥有成本的臭氧去离子水清洗工艺。室温下40 ppm的臭氧浓度用于去除有机蜡膜和颗粒。仅经过商业脱蜡处理后，仍残留有厚度超过200的蜡残留物。由于臭氧的扩散限制...
2022-04-27 1451
多孔GaN的结构和光学特性
摘要 本文报道了铂辅助化学化学蚀刻制备的多孔氮化镓的结构和光学性能。扫描电镜图像显示，孔隙的密度随着蚀刻时间的增加而增加，而蚀刻时间对孔隙的大小和形状没有显著影响。原子力...
2022-04-27 1378
半导体工艺中化学机械抛光后刷洗的理论分析
摘要 化学机械平面化后的叶片清洗，特别是刷子擦洗，是半导体器件制造的一个关键步骤，尚未得到充分了解。临界粒子雷诺数方法用于评估在刷擦洗过程中去除晶圆表面的粘附颗粒，或者是...
2022-04-27 1319
硅晶片在氢氧化钾、TMAH和EDP溶液中的蚀刻速率
本文研究了氢氧化钾、TMAH（C6H4(OH)2)溶液中氢氧化铵（四甲基铵）和EDP(乙烯二胺(NH2(CH2)2NH2)的浓度和温度对硅表面的影响，制作了光滑的垂直墙和悬吊梳式结构。...
2022-04-26 2818
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