在wafer基材加工阶段,从第一代硅,第二代砷化镓到第三代也是现阶段热门的碳化硅、氮化镓衬底都是通过晶锭切片、研磨、抛光后获得,每片衬底在各工艺后及出厂前,都要对厚度、翘曲度、弯曲度、粗糙度等几何形貌参数进行系统量测,需要相应的几何形貌量测设备。
下图为国内某头部碳化硅企业产品规范,无论是production wafer,research wafer,还是dummy wafer,出厂前均要对几何形貌参数进行量测,以保证同批、不同批次产品的一致性、稳定性,也能防止后序工艺由于wafer warpage过大,产生碎片、裂片的情况。
中图仪器针对晶圆几何形貌量测需求,基于在精密光学测量多年的技术积累,历经数载,自研了WD4000系列无图晶圆几何量测系统,适用于线切、研磨、抛光工艺后,进行wafer厚度(THK)、整体厚度变化(TTV)、翘曲度(Warp)、弯曲度(Bow)等相关几何形貌数据测量,能够提供Thickness map、LTV map、Top map、Bottom map等几何形貌图及系列参数,有效监测wafer形貌分布变化,从而及时管控与调整生产设备的工艺参数,确保wafer生产稳定且高效。
晶圆制造工艺环节复杂,前道制程所需要的量检测设备种类多、技术难度高, 因此也是所有半导体设备赛道中壁垒最高的环节。伴随半导体制程的演进,IC制造对于过程管控的要求越来越高,中图仪器持续投入开发半导体量检测设备,积极倾听客户需求,不断迭代技术,WD4000系列在诸多头部客户端都获得了良好反响!
重点参数
测量速度:最快15s
测量范围:100μm~2000μm
测量精度:0.5um
重复性(σ):0.2um
探头分辨率:23nm
扫描方式:Fullmap 面扫、米字、 自由多点
测量参数:厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等
可测材料:砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等
恳请注意:因市场发展和产品开发的需要,本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改,恕不另行通知,不便之处敬请谅解。
如有疑问或需要更多详细信息,请随时联系中图仪器咨询。
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