SOI全称为Silicon-On-Insulator,即绝缘衬底上的硅,该技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。SOI是硅晶体管结构在绝缘体之上的意思,原理就是在Silicon(硅)晶体管之间,加入绝缘体物质,可使两者之间的寄生电容比原来的少上一倍。
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基于SOI_F355P+Cvitek_CV1821的IPC方案
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