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SRAM(Static Random Access Memory),即静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。

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sram技术

先进工艺下的SRAM功耗和性能挑战

随着AI设计对内部存储器访问的要求越来越高,SRAM在工艺节点迁移中进一步增加功耗已成为一个的问题。

2024-04-09标签:CMOSDRAMsram2390

ChatGPT在边缘设备的应用探索

这要求在更接近数据源的地方大幅提高性能,但仍然只能使用非常少的功耗,并且价格便宜。虽然训练将继续在云中进行,但长距离移动大量数据的成本很高,所以边缘AI...

2024-04-07标签:cpusramAI3400

机器学习(ML)推理主要计算之存内计算芯片

机器学习(ML)推理主要计算之存内计算芯片

机器学习(ML)应用已经在汽车、医疗保健、金融和技术等各个领域变得无处不在。这导致对高性能、高能效 ML 硬件解决方案的需求不断增加。

2024-04-07标签:存储器神经网络gpu2460

深入解析Cache在AI处理器设计中的作用机制

深入解析Cache在AI处理器设计中的作用机制

最快的存储器类型是SRAM,但每个SRAM单元需要六个晶体管,因此SRAM在SoC内部很少使用,因为它会消耗大量的空间和功率。

2024-03-25标签:集成电路存储器sram1130

fpga是什么架构

FPGA(现场可编程门阵列)的架构主要由可配置逻辑模块(CLB)、输入/输出模块(IOB)以及可编程互连资源组成。

2024-03-14标签:FPGA存储器sram3260

GPU CUDA 编程的基本原理是什么

GPU CUDA 编程的基本原理是什么

神经网络能加速的有很多,当然使用硬件加速是最可观的了,而目前除了专用的NPU(神经网络加速单元),就属于GPU对神经网络加速效果最好了

2024-03-05标签:神经网络gpusram3430

人工智能与机器学习计算中的内存挑战

更多带宽 – 随着需要移动大量数据,我们目睹了所有 DRAM 类型继续竞相提高数据速率以提供更多内存带宽。

2024-03-04标签:DRAMsram人工智能1340

英特尔Clearwater Forest系列突破高核心数服务器CPU

在封装方面,英特尔表示,对于Clearwater Forest,将使用其他工艺节点来实现SRAM和I/O,因为这些节点在较新的工艺上无法很好地扩展。

2024-03-01标签:英特尔cpusram2050

电迁移导致半导体失效的机理探讨

电迁移导致半导体失效的机理探讨

SRAM工艺的处理器是通过CMOS内部管道切换的方式工作,其产品处理速度较高,被众多用户接受。但是,CMOS工艺有一个致命缺陷,由于工艺原因,伴随CMO...

2024-02-29标签:处理器FPGACMOS2420

GD32F4的TCMSRAM(紧耦合SRAM)该如何使用?

GD32F4的TCMSRAM(紧耦合SRAM)该如何使用?

如下图所示,GD32F4系列内部SRAM分为通用SRAM空间和TCMSRAM空间,其中通用SRAM为从0x20000000开始的空间,TCMSRAM为从...

2024-02-24标签:单片机sramGD327970

TSV与异构集成技术的前沿进展与趋势展望

TSV与异构集成技术的前沿进展与趋势展望

先进封装是芯片设计的必由之路。TSV则是必由之路上的服务站。世界上各个主要的IC厂商包括设计、晶圆、封测厂商,开发了一大批专利技术,使用TSV达成各种复...

2024-02-25标签:sram芯片设计TSV3020

未来十年:逻辑电路的发展趋势与前景展望

未来十年:逻辑电路的发展趋势与前景展望

实际测量的 SRAM 内存面积比笔者通常听到人们谈论的片上系统 (SOC) 产品的百分比要小得多。

2024-02-20标签:amd逻辑电路sram3180

MRAM特性优势和存储原理

MRAM特性优势和存储原理

MRAM是以磁性隧道结(MTJ)储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层,和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同...

2024-02-19标签:存储器sram晶体管7320

SRAM CLA和SRAM有什么区别

SRAM CLA和SRAM有什么区别

每个SRAM单元的核心由两个CMOS反相器构成,这两个反相器相互连接,每个反相器的输出电位被用作另一个反相器的输入。这种结构使得每个SRAM单元都可以保...

2024-02-19标签:CMOS存储器sram5110

赛普拉斯带微控制器的NV-SRAM接口

赛普拉斯带微控制器的NV-SRAM接口

赛普拉斯的NV-SRAM将标准快速SRAM单元(访问时间高达20 ns)与基于硅氧化物和亚硝酸盐,氧化物硅(SONOS)的非易失性存储元件相结合,可提供...

2024-02-19标签:微控制器电容器赛普拉斯3050

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