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蚀刻工艺技术
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GaN作为宽禁带III-V族化合物半导体最近被深入研究。为了实现GaN基器件的良好性能,GaN的处理技术至关重要。目前英思特已经尝试了许多GaN蚀刻方法...2023-12-01标签:3820
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晶体管尺寸在3nm时达到临界点,纳米片FET可能会取代finFET来满足性能、功耗、面积和成本目标。同样,正在评估2nm铜互连的重大架构变化,此举将重新...2023-11-14标签:2410
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近年来,铜(Cu)作为互连材料越来越受欢迎,因为它具有低电阻率、不会形成小丘以及对电迁移(EM)故障的高抵抗力。传统上,化学机械抛光(CMP)方法用于制...2023-11-08标签:2740
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铜的电阻率取决于其晶体结构、空隙体积、晶界和材料界面失配,这在较小的尺度上变得更加重要。传统上,铜(Cu)线的形成是通过使用沟槽蚀刻工艺在低k二氧化硅中...2023-09-22标签:4020
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直接蚀刻和剥离是两种比较流行的图案转移工艺。在直接蚀刻工艺中,首先使用光刻技术对聚合物抗蚀剂进行构图,然后通过干法蚀刻技术用抗蚀剂作为掩模将图案转移到衬...2023-09-07标签:3790
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随着5G技术的推出,导致电子电路和IC基板在设计中要求更高的密度。由于5G应用的性质,这些设计中的高可靠性和出色的电气性能也越来越重要。2023-09-01标签:20320
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钛金属具有较高的比强度和生物相容性,并且由于在金属表面自发形成的钝化膜而具有优异的抗蚀刻性。这种薄氧化膜在空气中容易形成,保护内部活性钛金属免受侵蚀性介...2023-09-01标签:2680
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众所周知,微机电系统(MEMS)严重依赖于集成电路制造中使用的材料,例如单晶硅。然而,由于金属、玻璃和压电陶瓷的特殊性质,这些材料在MEMS中的使用正在...2023-09-01标签:2630
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目前高功率砷化镓基单片微波集成电路(MMICs)已广泛应用于军事、无线和空间通信系统。使用连接晶片正面和背面的衬底通孔,这些MMICs的性能显著提高。2023-07-13标签:4400
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纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的,并使...2023-05-30标签:12810
蚀刻工艺资料下载
蚀刻工艺资讯
随着国内智能网联汽车、智能终端、可穿戴设备与消费电子的高速发展,以集成微纳系统(Micro-electro-mechanical Systems,MEM...
一站式PCBA智造厂家今天为大家讲讲pcb打样蚀刻工艺注意事项有哪些?PCB打样蚀刻工艺注意事项。PCB打样中,在铜箔部分预镀一层铅锡防腐层,保留在板外...
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3D设计引入了多晶硅和二氧化硅的交替层,并将浮栅交换为电荷陷阱闪存 (CTF),区别在于FG将存储器存储在导电层中,而CTF将电荷“捕获”在电介质层中。...2023-07-04标签:7330
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蚀刻工艺 蚀刻过程分类2022-08-08标签:8810
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figure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5B/8F/pYYBAGLs4...2022-08-05标签:3610
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figure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5A/F0/poYBAGLs2...2022-08-05标签:5430
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figure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5A/91/pYYBAGLqP...2022-08-03标签:8200
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引言 在这项工作中,超声增强化学腐蚀被用来制作多孔硅层。通过使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制备多孔硅层。发现超声波改善了p型硅上多孔硅层...2022-05-10标签:10410
1.问题:印制电路中蚀刻速率降低 原因: 由于工艺参数控制不当引起的 解决方法: 按工艺要求进行检查及调整温度、喷淋压力、溶液比...
蚀刻工艺数据手册
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