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虽然DUVL机器可以通过多重曝光技术将线宽缩小到7-5纳米，但如果要获得更小的线宽，DUVL已经达到了极限。采用EUV作为光源的极紫外光刻（EUVL）成为研究的重点，其波长为13.5纳米。...
在半导体工艺中，“键合”是指将晶圆芯片连接到衬底上。粘接可分为两种类型，即传统方法和先进方法。传统的方法包括晶片连接(或晶片连接)和电线连接，而先进的方法包括IBM在60年代末开发的倒装芯片连接。...
晶圆测试的对象是晶圆，而晶圆由许多芯片组成，测试的目的便是检验这些芯片的特性和品质。为此，晶圆测试需要连接测试机和芯片，并向芯片施加电流和信号。...
PDK 提供了开发平面芯片所需的适当详细程度，将设计工具与制造工艺相结合，以实现可预测的结果。但要让该功能适用于具有异构小芯片的PDK，要复杂很多倍。...
CP（Chip Probing）测试也叫晶圆测试(wafer test)，也就是在芯片未封装之前对wafer进行测试，这样就可以把有问题的芯片在封装之前剔除出来，节约封装和FT的成本。...
凸点金属化是为了将半导体中P-N结的性能引出，其中热压倒装芯片连接最合适的凸点材料是金，凸点可以通过传统的电解镀金方法生成，或者采用钉头凸点方法，后者就是引线键合技术中常用的凸点形成工艺。...
WLP 可以有效提高封装集成度，通常采用倒装(FC)互连技术，是芯片尺寸封装 CSP 中空间占用最小的一种。...
WAT需要标注出测试未通过的裸片（die），只需要封装测试通过的die。 FT是测试已经封装好的芯片（chip），不合格品检出。WAT和FT很多项目是重复的，FT多一些功能性测试。WAT需要探针接触测试点（pad）...
中央处理器（CPU）是一块超大规模的集成电路，是一台计算机的运算核心和控制核心。它的功能主要是解释计算机指令以及处理计算机软件中的数据，这也是迄今为数不多无法山寨的物品。...
在自然界中，获取成本最低的半导体就是硅。而硅料的提取是熔炼砂子。提到这里可能有朋友想到“光伏电池片用的也是硅片”。...
微纳加工的高精度和精确度，可以在微米和纳米尺度上精确控制材料的形状和结构，这使得制造微小器件和结构成为可能。...
先看一些晶圆的基本信息，和工艺路线。 晶圆主要尺寸有4吋，6吋硅片，目前对8吋，12吋硅片的应用在不断扩大。这些直径分别为100mm、150mm、200mm、300mm。硅片直径的增大可降低单个芯片的制造成本。...
封装的主要生产过程包括：晶圆切割，将晶圆上每一晶粒加以切割分离。粘晶，（Die-Attach）将切割完成的晶粒放置在导线架上。焊线，（WireBond）将晶粒信号接点用金属线连接至导线架上。...
光刻机有很多种类型，但有时也很难用类型进行分类来区别设备，因为有些分类仅是在某一分类下的分类。...
用于定义晶圆表面特性的 TTV、弯曲和翘曲术语通常在描述晶圆表面光洁度的质量时引用。首先定义以下术语以描述晶圆的各种表面。...
目前最先进的黄光微影制程中，使用ArF准分子雷射（λ=193nm）作为光源。nm为nano-meter，代表10的负九次方。...
当等离子体转变到这种状态时，电子密度处于最低水平。一般来说，等离子体密度下降的水平取决于占空比和脉冲频率。通过调整脉冲的占空比，可以将时间平均离子能量分布函数进行调整。...
封装可行性审查应在封装开发初期进行，审查结果需要提交给芯片和产品设计人员做进一步反馈。完成可行性研究后，须向封装制造商下订单，并附上封装、工具、引线框架和基板的设计图纸。...
在多层集成电路中，薄的、短的局部互连提供片上连接，而厚的、长的全局互连在不同的块之间传输。正如Lam Research技术总监Larry Zhao所详细描述的那样，硅通孔（TSV）允许信号和功率从一层传输到下一层。...
随着晶体管尺寸的逐步缩小，其特征尺寸也在不断缩小，当特征尺寸到了22nm，平面晶体管由于其栅极对于沟道的控制能力较弱而出现短沟道效应，逐渐被一种新型的晶体管所取代，即鳍式场效应晶体管（Fin FET）。...
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