氮化镓

氮化镓知识

• CGD开发GaN,致力于打造更环保电子器件
  位于英国剑桥市的无晶圆制造环保科技型半导体公司 Cambridge GaN Devices（简称 CGD）研发了一系列高
  2024-06-07
  标签：
  电机控制
  氮化镓
  GaN
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  青岛佳恩半导体有限公司与西安电子科技大学合作签约仪式圆满成功！
  5月28日，青岛佳恩半导体有限公司与西安电子科技大学战略合作签约仪式在青岛隆重举行，参加此次签约仪式的嘉宾有城阳区科学与
  2024-05-29
  标签：
  功率器件
  氮化镓
  GaN
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  基于SP9677M、6520和10R07的65W氮化镓PD快充降低成本设计方案
  在当今电子设备高度普及的时代，快充技术已经成为了许多消费者的必备选择。随着科技的不断进步，快充技术也在不断发展，其中65
  2024-05-24
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  控制器
  氮化镓
  PD快充
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  复旦大学芯片院在高速低EMI功率集成电路设计领域取得重要进展
  开关电源芯片被广泛应用于车载电子系统中，完成高效电能转换。随着智能驾驶技术的迅速发展，对开关电源芯片的电磁干扰（EMI）
  2024-05-20
  标签：
  集成电路
  电磁干扰
  氮化镓
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  2024新一代半导体晶体技术及应用大会6月21-23日济南召开
  半导体晶体是信息产业的基石，其生长技术、加工工艺、关键设备、器件应用及原材料供给等对半导体产业链供应链的安全稳定至关重要
  2024-05-20
  标签：
  半导体
  氮化镓
  碳化硅
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  如何使用GaN HEMT抽取Self-heating效应和Trapping效应模型参数？
  氮化镓(GaN)技术在5G基站、卫星通信、国防系统和其他应用中的迅速普及提高了晶体管建模的门槛。
  2024-05-19
  标签：
  晶体管
  ASM
  氮化镓
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  功率半导体厂商纳微半导体2024年第一季度收入业绩同比增长达73%
  1 得益于移动快充、AI数据中心对氮化镓的持续采用，以及碳化硅在电动汽车、太阳能和工业应用的销售增长，纳微半导体2024
  2024-05-10
  标签：
  氮化镓
  功率半导体
  纳微半导体
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  Power Integrations收购Odyssey Semiconductor资产
  深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日宣布达成协议，收购垂直氮化镓(Ga
  2024-05-10
  标签：
  晶体管
  氮化镓
  GaN
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• Power Integrations宣布收购Odyssey Semiconductor的资产
  深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今天宣布
  2024-05-08
  标签：
  晶体管
  氮化镓
  GaN
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  氮化镓快充电源ic U8722DE优化系统轻载效率
  氮化镓快充电源ic U8722DE集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，
  2024-05-08
  标签：
  驱动电路
  氮化镓
  电源IC
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氮化镓技术

• 
  如何使用GaN HEMT抽取Self-heating效应和Trapping效应模型参数？
  氮化镓(GaN)技术在5G基站、卫星通信、国防系统和其他应用中的迅速普及提高了晶体管建模的门槛。
  2024-05-19
  标签：
  晶体管
  ASM
  氮化镓
  222
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  氮化镓快充电源ic U8722DE优化系统轻载效率
  氮化镓快充电源ic U8722DE集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路
  2024-05-08
  标签：
  驱动电路
  氮化镓
  电源IC
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  聚焦大功率氮化镓（GaN）器件及其在实际应用中所面临的相关热问题
  热设计是一个至关重要的课题，其中的各种规则、缩略语和复杂方程时常让人感到它似乎是个深不可测的神秘领域；
  2024-04-24
  标签：
  集成电路
  PCB板
  QFN封装
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  氮化镓(GaN)功率集成电路(IC)开发的优势与挑战
  氮化镓(GaN)功率器件以离散形式已在电源充电器的应用领域得到广泛采用。在电源转换应用中，GaN高迁移率电子晶体管(HEMT)的诸多材料和器件优势也推动...
  2024-04-22
  标签：
  集成电路
  IC
  氮化镓
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  GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法
  氮化镓具有许多内在材料优势，如宽能隙和高电子迁移率。当用作横向高电子迁移率晶体管(HEMT)器件时，这些特性可用于获得功率转换性能优势，因为其无反向恢复...
  2024-04-18
  标签：
  氮化镓
  GaN
  HEMT
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  一、二、三代半导体的区别
  在5G和新能源汽车等新市场需求的驱动下，第三代半导体材料有望迎来加速发展。硅基半导体的性能已无法完全满足5G和新能源汽车的需求，碳化硅和氮化镓等第三代半...
  2024-04-18
  标签：
  半导体
  cpu
  gpu
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  一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关—U8722
  氮化镓充电器是一种新型的快充技术，在充电速度、安全性做到了突破。
  2024-04-09
  标签：
  充电器
  氮化镓
  驱动电流
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  led发光的颜色由什么决定 LED的发光原理
  LED的发光过程主要包括载流子注入和复合两个步骤。当外加电压施加在LED的正向偏置端时，电流通过LED的正向偏置结并注入到半导体材料中。
  2024-03-22
  标签：
  led
  半导体材料
  氮化镓
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  普通充电器 vs 氮化镓充电器区别
  当前流行的主流充电器和电源头都是采用“开关型”的电源模式，其核心的输出效率和负载能力（输出电流大小，恒压）瓶颈就在内部集成的开关管的频率。
  2024-03-18
  标签：
  充电器
  功率转换
  氮化镓
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  四种将被氮化镓革新电子设计的中压应用
  除了业界已经采用的高压 GaN（额定值 >=600V）外，新的中压 GaN 解决方案（额定值 80V-200V）也日益受到欢迎，可在高压 GaN ...
  2024-03-15
  标签：
  逆变器
  电池电压
  氮化镓
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氮化镓资讯

CGD开发GaN,致力于打造更环保电子器件

位于英国剑桥市的无晶圆制造环保科技型半导体公司 Cambridge GaN Devices（简称 CGD）研发了一系列高能效氮化镓（GaN）功率器件，主...

2024-06-07标签：电机控制氮化镓GaN1140

纳微半导体将亮相PCIM 2024，展示氮化镓与碳化硅技术

在电力电子领域，纳微半导体凭借其卓越的GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体技术，已成为行业内的佼佼者。近日，该公司受邀参加6月11日...

2024-05-30标签：氮化镓碳化硅纳微半导体2330

台亚半导体再度调整业务结构

台亚半导体于近日成功召开股东会，会议通过了将8英寸GaN（氮化镓）事业群分割给子公司冠亚半导体的计划。这是继两年前台亚将系统事业群划分给星亚视觉后，再次...

2024-05-30标签：半导体氮化镓GaN2460

青岛佳恩半导体有限公司与西安电子科技大学合作签约仪式圆满成功！

5月28日，青岛佳恩半导体有限公司与西安电子科技大学战略合作签约仪式在青岛隆重举行，参加此次签约仪式的嘉宾有城阳区科学与技术局领导、城阳区工业与信息化局...

2024-05-29标签：功率器件氮化镓GaN2060

基于SP9677M、6520和10R07的65W氮化镓PD快充降低成本设计方案

在当今电子设备高度普及的时代，快充技术已经成为了许多消费者的必备选择。随着科技的不断进步，快充技术也在不断发展，其中65W氮化镓PD快充技术以其高效、安...

2024-05-24标签：控制器氮化镓PD快充1860

Transphorm携手伟诠电子推出两款新型系统级封装氮化镓器件

全球氮化镓功率半导体行业的领军者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成电路的佼佼者伟诠电子联合宣布，双方已成功推出两款新型系统级封装氮...

2024-05-23标签：集成电路氮化镓功率半导体2890

东科芯片助力曼科进军氮化镓快充市场

前言曼科推出一款小火山智充舱桌面插排，这款插座采用柱状外观设计，一侧设有两个新国标五孔插孔，另一侧设有2C1A快充接口，支持最大65W快充输出，总体负载...

2024-05-18标签：平板电脑氮化镓快充1180

复旦大学芯片院在高速低EMI功率集成电路设计领域取得重要进展

开关电源芯片被广泛应用于车载电子系统中，完成高效电能转换。随着智能驾驶技术的迅速发展，对开关电源芯片的电磁干扰（EMI）噪声的要求也日益严苛。

2024-05-20标签：集成电路电磁干扰氮化镓5450

2024新一代半导体晶体技术及应用大会6月21-23日济南召开

半导体晶体是信息产业的基石，其生长技术、加工工艺、关键设备、器件应用及原材料供给等对半导体产业链供应链的安全稳定至关重要。

2024-05-20标签：半导体氮化镓碳化硅4180

中国降价影响美台三代半导体产业利润

有报道称，两年前，第三代半导体概念曾成为市场热点，不仅中国大陆股市大幅上涨，还推动台湾地区同类企业股价攀升。然而，近两年来，美台相关企业业绩表现与预期相去甚远。

2024-05-13标签：半导体氮化镓碳化硅1430

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