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  • JesFS Flash文件系统：高效管理小型控制器大数据存储新方案

    CC13xx/26xx系列处理器的Launchpad开发平台物美价廉，配备TI的CCSTUDIO[3]IDE，可以进行源代码调试。CC13xx/26xx开发平台配备了一片1MB的串行Flash存储器，大小只有2mmx3mm!...

  • RDMA在高速网络中的应用及其实现策略

    在大型模型应用领域，要获得最佳性能，关键在于精密配置，特别是当GPU与InfiniBand网卡协同工作时。这里参考了合作伙伴NVIDIA推出的DGX系统，它倡导了一种GPU与InfiniBand网卡一对一配对的设计理念，并树立了行业标杆。...

  • 什么是相变存储器？如何表征相变材料及器件电学性能？

    相变存储器（Phase-Change Random Access Memory，简称 PCRAM 或者PCM），是一种非易失性存储器，利用电能(热量)使相变材料在晶态(低阻)与非晶态(高阻)之间的相互转换来实现信息的存储和擦除，通过测量电阻的变化读出信息。...

    134次阅读 · 0评论存储器非易失性存储器

  • DDR SDRAM 和SDRAM的主要差异

    DDR内存通过在时钟周期的上升沿和下降沿都传输数据，从而实现双倍数据率。这意味着在每个时钟周期内，DDR内存能够传输两次数据，提高了数据传输效率。...

  • 企业存储设备资源划分之存储基础实验探究

    1.web访问存储管理页面 2.创建硬盘域 根据业务需求调整硬盘域 3.在硬盘域之上创建存储池，分别创建一个文件及存储StoragePool002和块级存储StoragePool001...

  • 3D DRAM进入量产倒计时，3D DRAM开发路线图

    目前，各大内存芯片厂商，以及全球知名半导体科研机构都在进行3D DRAM的研发工作，并且取得了不错的进展，距离成熟产品量产不远了。...

  • 存算一体架构的优势及分类

    存内计算同样是将计算和存储合二为一的技术。它有两种主要思路。第一种思路是通过电路革新，让存储器本身就具有计算能力。...

  • 先进工艺下的SRAM功耗和性能挑战

    随着AI设计对内部存储器访问的要求越来越高，SRAM在工艺节点迁移中进一步增加功耗已成为一个的问题。...

  • 如何打破内存限制融合HBM与DDR5创新

    正如我们在最初涉足Celestial的产品战略时所讨论的那样，该公司的零件分为三大类：小芯片、中介层和英特尔EMIB或台积电CoWoS的光学旋转，称为OMIB。...

  • 韩国研究团队开发新型超低功耗存储设备

    DRAM是最常用的存储器之一，速度非常快，但具有易失性特性，当电源关闭时，数据会消失。NAND闪存是一种存储设备，读/写速度相对较慢，但它具有非易失性特性，即使在电源被切断时也能保存数据。...

  • 一文解析NAND的闪存接口ONFI

    ONFI 由100多家制造、设计或使用 NAND 闪存的公司组成的行业工作组，其中包括主要成员如 Intel 和镁光。该工作组旨在简化将 NAND 闪存集成到消费电子产品、计算平台以及其他需要大容量固态存储的应用程序中的过程。...

  • DDR SDRAM和SDRAM功能及结构差异

    在计算机运算速度发展的过程中，需要提高内存的读写速率，只能通过提高时钟频率来提高SDRAM的读写速率。由于温度等因素的影响，SDRAM的内核时钟频率受限，无法进一步提升。...

  • 工业级存储：工业应用的关键要素与挑战解析

    工业级存储的广泛应用范围涵盖了工业PLC、工业HMI、工业网关、电力数据采集器、电力通讯管理器、工业控制、能源电力、轨道交通、电力DTU、运动控制器等多个领域，并在这些领域中扮演着至关重要的角色。...

  • 超快移动固态硬盘是什么极速体验？

    如果选择常规的 USB C 接口，那么速度将限制在 1000MB/s 左右。例如体验期间同时使用了 MacBook Pro 16 (M1 Pro，2021) 进行测试，英睿达 X10 Pro 的顺序读取速度在 900MB/s，写入速度在 850MB/s，性能与英睿达 X9 Pro 基本一致。...

  • 一文解析DARM工艺流程

    DRAM（动态随机存取存储器）的工艺流程包括多个关键步骤。...

  • NAND存储种类和优势

    非易失性存储器芯片又可分为快闪存储器 （Flash Memory） 与只读存储器 （Read-Only Memory）。其中，快闪存储器又可以分为 NAND 存储和 NOR 存储。...

  • 什么是HBM3E内存？Rambus HBM3E/3内存控制器内核

    Rambus HBM3E/3 内存控制器内核针对高带宽和低延迟进行了优化，以紧凑的外形和高能效的封装为人工智能训练提供了最大的性能和灵活性。...

  • 3D NAND的沟道通孔刻蚀工艺步骤

    沟道通孔（Channel Hole）指的是从顶层到底层垂直于晶圆表面，穿过多层存储单元的细长孔洞。这些通孔贯穿整个堆叠结构，并填充了导电材料，它们在每个存储层之间形成导电通道，从而使电子能够在在存储单元间移动，进行读取、写入和擦除操作。...

    242次阅读 · 0评论刻蚀3d nand

  • 3D NAND的主要制作流程

    SiO2与SiNx交替镀膜，每层膜层在几十纳米左右。根据产品的不同，膜层的层数也不同。图中只是示意图，只有几层。但实际有64，128，400层等层数。...

    398次阅读 · 0评论3d nand芯片制程

  • JEDEC发布：GDDR7 DRAM新规范，专供显卡与GPU使用

    三星电子和SK海力士计划在今年上半年量产下一代显卡用内存GDDR7 DRAM，这是用于图形处理单元（GPU）的最新一代高性能内存。...

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