本题添加时间:2023/10/19 21:54:00
圆梦客服:王老师 19139051760(微信同号) 19139051760(微信同号)
主从RS触发器在CP=1期间,R、S之间不存在约束。
(A) 对 (B) 错
(A) 对 (B) 错
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1、
IGBT 是一个复合型的器件,它是( ) (A) GTR 驱动的 MOSFET (B) MOSFET 驱动的GTR (C) MOSFET 驱动的晶闸管 (D) MOSFET 驱动的GTO
2、为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,恒流驱动电路经常采用( ) (A) du/dt 抑制电路 (B) 抗饱和电路 (C) di/dt 抑制电路 (D) 吸收电路
3、对于单相交交变频电路如下图,在 t1~t2 时间段内,P 组晶闸管变流装置与 N组晶闸管变流装置的工作状态是( ) (A) P 组阻断,N 组整流 (B) P组阻断,N 组逆变 (C) N 组阻断,P 组整流 (D) N组阻
4、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在 t1~t2时间段内,有( )晶闸管导通。 (A) 1 个 (B) 2 个 (C) 3 个 (D) 4 个
5、单相桥式PWM 逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是( ) (A) V1 与 V4导通,V2与 V3 关断 (B) V1 常通,V2 常断,V3与 V4 交替通断 (C) V1 与 V4关断,V2与 V3 导通
2、为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,恒流驱动电路经常采用( ) (A) du/dt 抑制电路 (B) 抗饱和电路 (C) di/dt 抑制电路 (D) 吸收电路
3、对于单相交交变频电路如下图,在 t1~t2 时间段内,P 组晶闸管变流装置与 N组晶闸管变流装置的工作状态是( ) (A) P 组阻断,N 组整流 (B) P组阻断,N 组逆变 (C) N 组阻断,P 组整流 (D) N组阻
4、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在 t1~t2时间段内,有( )晶闸管导通。 (A) 1 个 (B) 2 个 (C) 3 个 (D) 4 个
5、单相桥式PWM 逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是( ) (A) V1 与 V4导通,V2与 V3 关断 (B) V1 常通,V2 常断,V3与 V4 交替通断 (C) V1 与 V4关断,V2与 V3 导通